[發明專利]光學信息記錄介質和信息記錄方法

無效

• 申請號: 200680001109.0
• 申請日: 2006-03-15
• 公開（公告）號: CN101052533A
• 公開（公告）日: 2007-10-10
• 發明（設計）人: 渡邊康介;渡邊哲也
• 申請（專利權）人: 富士膠片株式會社
• 主分類號: B41M5/26
• 分類號: B41M5/26;C07D487/22;C09B47/04;G11B7/24;G11B7/244
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 陳平

1.一種光學記錄介質，所述光學記錄介質包含其上具有記錄層的襯底，所述記錄層通過使用440nm或更短波長的激光的輻照能夠記錄信息，其中所述記錄層包含至少一種由下式(I)表示的鉑卟啉：

式(I)：

[化學式1]

其中R¹¹至R¹⁸各自獨立地表示氫原子或取代基。

2.如權利要求1所述的光學信息記錄介質，其中所述記錄層包含至少一種由式(I)表示的鉑卟啉，并且所述由式(I)表示的鉑卟啉的溶液吸收最大波長和膜吸收最大波長都是350至385nm。

3.如權利要求1或2所述的光學信息記錄介質，其中所述記錄層包含至少一種由式(I)表示的鉑卟啉，并且所述記錄層在440nm或更短波長的激光的振蕩波長的折射率n和消光系數k同時滿足n≥2.0和0.01≤k≤0.4。

4.如權利要求1至3中任一項所述的光學信息記錄介質，所述光學信息記錄介質包含其上具有記錄層的襯底，所述記錄層通過使用440nm或更短波長的激光的輻照能夠記錄信息，其中所述記錄層包含至少一種由下式(II)表示的鉑卟啉：

式(II)

[化學式2]

其中R²¹至R²⁸各自獨立地表示取代或未取代的烷基，條件是在R²¹至R²⁸之中的至少一個取代基是被下列基團中的任何一個進一步取代的基團：羥基、羧基、氨基、烷基氨基、巰基、烷氧基、烷硫基、烷氧基羰基、烷硫基羰基、烷氨基羰基和雜環基。

5.如權利要求1至4中任一項所述的光學信息記錄介質，其中將包含金屬的光反射層與所述記錄層隔開安置。

6.如權利要求1至5中任一項所述的光學信息記錄介質，其中將保護層與所述記錄層隔開安置。

7.如權利要求1至6中任一項所述的光學信息記錄介質，其中所述襯底是在其表面上具有磁道間距為0.2至0.5mm的預槽的透明盤狀襯底，并且將所述記錄層安置在所述形成預槽的表面上。

8.如權利要求1至3中任一項所述的光學信息記錄介質，所述光學記錄介質包含其上具有記錄層的襯底，所述記錄層通過使用440nm或更短波長的激光的輻照能夠記錄信息，其中所述記錄層包含至少一種由下式(III)表示的鉑卟啉：

式(III)

[化學式3]

其中R³¹至R³⁸各自獨立地表示取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的烷硫基，條件是在R³¹至R³⁸之中的至少一個取代基是被下列基團中的任何一個進一步取代的基團：羥基、羧基、氨基、烷基氨基、巰基、烷氧基、烷硫基、烷氧基羰基、烷硫基羰基、烷氨基羰基和雜環基。

9.如權利要求8所述的光學信息記錄介質，其中將包含金屬的光反射層與所述記錄層隔開安置。

10.如權利要求8或9所述的光學信息記錄介質，其中將保護層與所述記錄層隔開安置。

11.如權利要求8至10中任一項所述的光學信息記錄介質，其中所述襯底是在其表面上具有磁道間距為0.2至0.5μm的預槽的透明盤狀襯底，并且將所述記錄層安置在所述形成預槽的表面上。