[發明專利]碳化硅襯底的表面重建方法無效
| 申請號： | 200680001088.2 | 申請日： | 2006-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN101052754A | 公開（公告）日： | 2007-10-10 |
| 發明（設計）人： | 增田健良 | 申請（專利權）人： | 住友電氣工業株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C23C14/14;C23C16/24;C30B33/02;C30B33/10 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人： | 陳平 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅 襯底 表面 重建 方法 | ||
1.一種碳化硅襯底(1)的表面重建方法，該方法包括：
在碳化硅襯底(1)的表面形成硅膜(2)的硅膜形成步驟，其中所述硅膜(2) 的厚度為10nm至1μm；
在沒有在所述硅膜(2)表面上提供多晶碳化硅襯底的情況下，熱處理所 述碳化硅襯底(1)和所述硅膜(2)的熱處理步驟，其中所述熱處理步驟的溫度 為1300℃至1800℃；和
在所述熱處理步驟后，去除所述硅膜(2)的硅膜去除步驟，
其中所述碳化硅襯底(1)是六方碳化硅襯底，并且所述硅膜(2)形成于六 方碳化硅襯底(1)的離面上，其中所述離面為相對于所述六方碳化硅襯底(1) 的(0001)面在[11-20]方向或[1-100]方向傾斜8°的面。
2.根據權利要求1所述的碳化硅襯底(1)的表面重建方法，該方法包 括：在形成所述硅膜(2)之前，通過蝕刻或拋光所述碳化硅襯底(1)的表面而 進行平面化的步驟。
3.根據權利要求1所述的碳化硅襯底(1)的表面重建方法，該方法包 括：在所述熱處理步驟后，氧化所述硅膜(2)以產生氧化硅膜的氧化硅膜形 成步驟，以及去除所述氧化硅膜的氧化硅膜去除步驟。
4.根據權利要求1所述的碳化硅襯底(1)的表面重建方法，其中
所述硅膜(2)是通過濺射方法形成的。
5.根據權利要求1所述的碳化硅襯底(1)的表面重建方法，其中
所述硅膜(2)是通過氣相沉積方法形成的。
6.根據權利要求1所述的碳化硅襯底(1)的表面重建方法，其中
所述硅膜(2)是通過采用含硅液體或含硅氣體形成的。
7.根據權利要求6所述的碳化硅襯底(1)的表面重建方法，其中
所述硅膜形成步驟與所述熱處理步驟同時進行。
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