[發明專利]照明光學裝置的調整方法、照明光學裝置、曝光裝置以及曝光方法有效
| 申請號: | 200680000686.8 | 申請日: | 2006-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN101164142A | 公開(公告)日: | 2008-04-16 |
| 發明(設計)人: | 谷津修;廣田弘之;重松幸二;栗田信一 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 左一平 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 照明 光學 裝置 調整 方法 曝光 以及 | ||
1.一種照明光學裝置,為一種根據來自光源的光,在所需的偏光狀態的基礎上對被照射面進行照明的照明光學裝置,其特征在于,包括:
第1偏光變更裝置,對所述被照射面進行照明的光的偏光狀態局部地進行變更;
第2偏光變更裝置,將所述照明光學裝置的瞳面或其附近的位置上的偏光狀態局部地進行變更。
2.如權利要求1所述的照明光學裝置,其特征在于:所述第1及第2偏光變更裝置中的至少一個,具有使所通過的光的相位局部地進行變化的相位構件。
3.如權利要求2所述的照明光學裝置,其特征在于:
所述相位構件具有由二軸性結晶材料形成,且沿光軸方向彼此接近配置的一對光學構件;
所述一對光學構件,使一光學構件的結晶光學軸與另一光學構件的結晶光學軸彼此大致直交地進行定位;
所述一對光學構件,以沿與光軸平行的多根直線的所述一光學構件的厚度和所述另一光學構件的厚度的差彼此不同的形態而形成。
4.如權利要求2或3所述的照明光學裝置,其特征在于:所述相位構件具有與所述瞳面上的多個區域分別對應配置,可將通過的光束的相位變化進行調節的多個相位變化調節部。
5.如權利要求4所述的照明光學裝置,其特征在于:所述相位變化調節部具有巴俾涅·索累波長板。
6.如權利要求1~5的任一項所述的照明光學裝置,其特征在于:所述第1及第2偏光變更裝置的至少一個,具有將入射的光的偏光狀態可局部地進行調整的偏光可變構件。
7.如權利要求6所述的照明光學裝置,其特征在于:所述偏光可變構件具有用于將入射的光的偏光狀態在多個局部區域獨立地進行調整的多個偏光可變元件。
8.如權利要求1~7的任一項所述的照明光學裝置,其特征在于:
還具有用于測定到達所述被照射面的光的偏光狀態的偏光狀態測定器;
所述第1及第2偏光變更裝置中的至少一方,依據所述偏光狀態測定器的測定結果而分別進行調整。
9.如權利要求1~8的任一項所述的照明光學裝置,其特征在于:
所述第1偏光變更裝置被配置在所述被照射面、所述被照射面的附近的位置,與所述被照射面形成光學共軛的位置,以及與所述被照射面形成光學共軛的位置的附近的位置中的任一個上,
所述第2偏光變更裝置被配置在所述照明光學裝置的瞳面或其附近的位置上。
10.一種照明光學裝置,為一種根據來自光源的光對被照射面進行照明的照明光學裝置,其特征在于:
具有配置在照明瞳面或其附近,用于將入射光的偏光狀態轉換為特定的偏光狀態的偏光轉換元件;
所述偏光轉換元件將在所述照明光學裝置的瞳面或其附近的位置上的光的偏光狀態,局部地進行變更。
11.如權利要求10所述的照明光學裝置,其特征在于:所述偏光轉換元件具有用于對入射的直線偏光可變地賦予旋光角度的多個可變旋光構件。
12.如權利要求11所述的照明光學裝置,其特征在于:所述多個可變旋光構件的每一個,由具有旋光性的光學材料形成,且具有可沿與所述照明光學裝置的光軸交差的方向相對地進行移動的2個偏角棱鏡。
13.如權利要求12所述的照明光學裝置,其特征在于:所述2個偏角棱鏡以結晶光學軸與所述光軸大致平行的形態進行配置。
14.如權利要求12或13所述的照明光學裝置,其特征在于:所述2個偏角棱鏡具有彼此互補的楔形的斷面形狀。
15.如權利要求11~14的任一項所述的照明光學裝置,其特征在于:所述多個可變旋光構件,沿以所述照明光學裝置的光軸為中心的圓的圓周方向進行配置。
16.如權利要求15所述的照明光學裝置,其特征在于:所述多個可變旋光構件的每一個,具有大致的扇形形狀。
17.如權利要求11~16的任一項所述的照明光學裝置,其特征在于:
還具有用于對到達所述被照射面的光的偏光狀態進行測定的偏光狀態測定器,
所述多個可變旋光構件,依據所述偏光狀態測定器的測定結果,分別進行調整。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





