[實用新型]一種納米硅太陽能薄膜電池

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200620170685.5
• 申請日: 2006-12-21
• 公開（公告）號: CN201054355Y
• 公開（公告）日: 2008-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何宇亮;王樹娟
• 申請（專利權(quán)）人: 何宇亮;王樹娟
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042;H01L31/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域：

本實用新型涉及一種將太陽光轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿难b置，具體地說涉及一種多層非晶硅薄膜結(jié)構(gòu)的太陽能電池的改進。

技術(shù)背景：

目前在太陽能電池制造業(yè)中，晶體硅和多晶體硅為基材的產(chǎn)品依然占主導(dǎo)地位，其市場占有率約為80％以上。由于其基材價格昂貴，生產(chǎn)成本高，成為太陽能電池發(fā)展推廣的重大障礙。改進后的以非晶體硅薄膜為主體的薄膜型太陽能電池，它可以用玻璃為襯底，具有制作成本低，并能制成較大面積產(chǎn)品的優(yōu)點，但光熱穩(wěn)定性(S-W效應(yīng))差，轉(zhuǎn)換效率η值低，穩(wěn)定性也差，因此大大限制了非晶體硅薄膜電池的發(fā)展應(yīng)用。

發(fā)明內(nèi)容：

本實用新型的發(fā)明目的是克服已有非晶硅薄膜型太陽能電池的上述缺點，提供一種光熱穩(wěn)定性(S-W效應(yīng))好，轉(zhuǎn)換效率η值高，穩(wěn)定性好，生產(chǎn)成本低的納米硅薄膜太陽能電池。

本實用新型包括底層(1)、依次設(shè)置在底層(1)上的導(dǎo)電膜(2)、非晶硅薄膜(3)、N型納米硅薄膜(5)和透明金屬電極及梳狀電極(7)，在非晶硅薄膜(3)和N型納米硅薄膜(5)之間增設(shè)有變能隙納米膜(4)，N型納米硅薄膜(5)和透明金屬電極及梳狀電極(7)之間增設(shè)有非晶硅薄膜(6)。

本實用新型進一步的技術(shù)特征為非晶硅薄膜(6)的厚度可為50-100nm。N型納米硅薄膜(5)的晶粒大小可為2-8nm。底層(1)為玻璃和單晶硅層。

由于本實用新型增設(shè)有變能隙納米膜層和非晶硅薄膜純化保護層，能有效提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率η值，光熱穩(wěn)定性(S-W效應(yīng))好，生產(chǎn)成本低，使用壽命長。

附圖說明：

附圖1為本實用新型實施例結(jié)構(gòu)示意圖。

以下結(jié)合實施例及其制作進一步描述本實用新型。

參見附圖1，底層(1)為玻璃和單晶硅層，底層(1)上鍍有導(dǎo)電膜(2)，再使用PECVD薄膜沉積技術(shù)在導(dǎo)電膜(2)上生長一層摻硼的P型非晶硅薄膜或納米硅薄膜(3)，然后改變工藝條件，改變薄膜晶態(tài)比值Xc，在導(dǎo)電膜(3)上沉積一層變能隙納米膜(4)，再在變能隙納米膜(4)上用同一PECVD系統(tǒng)，通入磷烷(PN3)生長一層N型納米硅薄膜(5)，再在該層上繼續(xù)生長一層非晶硅薄膜(6)，作為對整個裝置工作層的純化保護，非晶硅薄膜(6)表層設(shè)置透明金屬電極及梳狀電極(7)，完成本實用新型的全部結(jié)構(gòu)。