[實用新型]液晶顯示裝置的像素結構

無效

• 申請號: 200620162360.2
• 申請日: 2006-12-27
• 公開（公告）號: CN200993715Y
• 公開（公告）日: 2007-12-19
• 發明（設計）人: 沈奇奇
• 申請（專利權）人: 上海廣電光電子有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/136;H01L29/786
• 代理公司: 上海申匯專利代理有限公司
• 代理人: 白璧華

技術領域

本實用新型涉及一種液晶顯示器件，特別是涉及一種薄膜晶體管液晶顯示裝置的像素結構。

背景技術

液晶顯示裝置(liquid?crystal?display，LCD)是目前最被廣泛使用的一種平面顯示器，具有低功耗、外型薄、重量輕以及低驅動電壓等特征。一般而言，TFT?LCD(薄膜晶體管液晶顯示裝置)的顯示區域包含多個子像素區域，每個子像素區域一般為兩條柵極線(gate?line，又稱掃描線)與兩條數據線(data?line)交叉所定義的矩形或者其他形狀區域，其內設置有薄膜晶體管(TFT)以及像素電極，薄膜晶體管充當開關元件。

目前，通常采用四光罩工藝來生產TFT結構，用四道光罩工藝來生產液晶顯示器用的TFT基板相對傳統的五道光罩來說，由于把I層圖形(硅島層，也叫a-Si半導體層)和D層(數據線層)圖形合到一起用一道光罩來形成，在生產時可以省去一次光刻工序，縮短生產周期，降低生產成本。

對于傳統的四光罩工藝中光罩上TFT溝道處的結構，在理想情況下經過4道光刻工序后，最后溝道處a-Si半導體層的形狀會接近設計形狀，如圖1所示，像素結構內設置有TFT10和像素電極20，TFT10由柵極11、源極12和漏極13構成，柵極11形成在第一金屬層(M1)上，源極12和漏極13由溝道14隔開并形成在第二金屬層(M2)上，柵極11和源極12、漏極13之間有半導體層30，漏極13通過接觸孔131和像素電極20相連接，柵極11的寬度大于溝道寬14處的度，在理想狀態下，溝道14的寬度應保持與源極12和漏極13的寬度一致，但是由于四光罩工藝采用的是GTM技術(半曝光技術)而GTM技術對溝道14處的形狀控制比較困難，GTM技術要把溝道處a-Si半導體層的形狀控制成理想情況比較困難，所以在實際生產中最后形成的溝道的形狀會發生變化，容易出現如圖3所示的情況，使得溝道14的寬度變小，又由于在Gate為高電壓時TFT打開，并且Gate電壓和Source電壓一定的情況下，TFT打開時給像素電極充電電流為：

I＝k*W/L

其中k：常數，W：溝道處a-Si半導體層寬度，L：溝道長度。

由上式可以看出當W變小時充電電流也變小，導致充電不足，如果W不均比較嚴重的話就會造成各個像素充電電流大小不均，從而導致最后像素電極電壓不一致，最終造成顯示不均(Mura)，從而降低生產良率。

發明內容

因此，本實用新型的目的在于提供一種當溝道的寬度發生變化時，減少像素電極上的充電電流變化的液晶顯示裝置的像素結構，以克服上述現有技術的缺點。

為達上述目的，本實用新型提供了一種液晶顯示裝置的像素結構，包括有TFT和像素電極；所述TFT由柵極、源極和漏極構成；所述源極和漏極之間有溝道隔開，柵極和源極、漏極之間形成有半導體層；其中所述柵極的寬度小于溝道的寬度，所述溝道的兩端曝露在柵極的兩側。。

基于上述構思，本實用新型的液晶顯示裝置的像素結構，由于將柵極的寬度設置成小于溝道的寬度，因此，溝道處半導體層寬度W的大小取決于柵極的寬度，而柵極的寬度是保持不變的，即使由于GTM技術對溝道處半導體層的形狀控制比較困難，在實際生產中最后形成的溝道的形狀發生變化，出現如圖4所示的情形，溝道處半導體層寬度W的大小仍然為柵極的寬度，沒有發生變化，從而保證了像素電極上的充電電流不受溝道處半導體層形狀變化的影響，減少了由此引起的顯示不均不良現象的發生，提高了產品的生產良率，降低了成本。

為了更進一步了解本實用新型的特征及技術內容，請參閱以下有關本實用新型的詳細說明與附圖。然而附圖僅供參考與輔助說明用，不構成對本實用新型的限制。

附圖說明

圖1是傳統的液晶顯示裝置的像素結構在理想情況下的平面示意圖；

圖2是傳統的液晶顯示裝置的像素結構在溝道寬度發生變化時的平面示意圖；

圖3是本實用新型的液晶顯示器的像素結構在理想情況下的平面示意圖；

圖4是本實用新型的液晶顯示器的像素結構在溝道寬度發生變化時的平面示意圖。

圖中：

10.薄膜晶體管(TFT)????11.柵極????12.源極????121.數據線

13.漏極???????????????14.溝道????131.接觸孔

20.像素電極????30.半導體層

具體實施方式

下面結合附圖及典型實施例對本發明作進一步說明。