[實用新型]低壓降高取光LED電極

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200620158556.4
• 申請日: 2006-11-24
• 公開（公告）號: CN200983371Y
• 公開（公告）日: 2007-11-28
• 發(fā)明（設計）人: 沈光地;徐晨;朱彥旭;劉瑩;韓金茹;鄒德恕
• 申請（專利權）人: 北京工業(yè)大學
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司
• 代理人: 沈波

1、低壓降高取光LED電極，其結構至少包括：半導體基底(1)、歐姆接觸層(2)、透明電流擴展層(3)、壓焊電極(4)；歐姆接觸層(2)與半導體基底(1)接觸，覆蓋在半導體基底(1)的上面；透明電流擴展層(3)覆蓋在歐姆接觸層(2)上面，壓焊電極(4)位于透明電流擴展層(3)的上方；其特征在于：歐姆接觸層(2)為一種帶有的通孔(5)的導電膜(6)；透明電流擴展層(3)通過歐姆接觸層(2)的通孔(5)與半導體基底(1)接觸。

2、根據權利1所述的低壓降高取光LED電極，其特征為：透明電流擴展層(3)的厚度為整個LED器件發(fā)出光的四分之一波長光學厚度到四分之三波長光學厚度。

3、根據權利要求1所述的低壓降高取光LED電極，其特征為：透明電流擴展層(3)的厚度為整個LED器件發(fā)出光的四分之三波長光學厚度。

4、根據權利要求2或3所述的低壓降高取光LED電極，其特征為：通孔(5)的總面積小于歐姆接觸層(2)面積的50％。

5、根據權利1所述的低壓降高取光LED電極，其特征為：透明電流擴展層(3)的折射率小于半導體基底(1)的折射率。