[實用新型]單面電極太陽能電池無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200620152276.2 | 申請日: | 2006-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN201051503Y | 公開(公告)日: | 2008-04-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉津平 | 申請(專利權)人: | 劉津平 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 300052天津市和平*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 單面 電極 太陽能電池 | ||
技術領域
本實用新型屬于光電轉換制品制造領域,涉及一種光電轉換裝置,特別涉及一種單面電極太陽能電池。
背景技術
太陽能作為一種清潔的、沒有任何污染的能源,以及太陽能發(fā)電做為動力供應主要來源之一的可能性,已日益引起人們關注。相關專家預測,到本世紀后期,太陽能發(fā)電將在世界電能結構中占據80%的位置。
然而,由于技術問題,迄今商業(yè)化的光伏發(fā)電裝置/太陽能電池的價格太高、光電轉換效率過底。在城市電力系統(tǒng)中,高昂的一次性投資成本無疑更為光伏發(fā)電裝置/太陽能電池產品推廣增加了難度,大規(guī)模開發(fā)和利用光伏太陽能發(fā)電,提高電池的光電轉換效率和降低生產成本成為核心所在。因此,提高效率,降低成本,擴大規(guī)模成為現今開發(fā)、生產光伏發(fā)電裝置/太陽能電池的主題。
中國專利公開說明書CN200610004704.1公開了一種光電轉換裝置,該裝置包括多個大致球狀的光電轉換元件,具備球狀的第1半導體和覆蓋其表面的第2半導體層,所述第2半導體層具有使所述第1半導體的一部分暴露的開口部,在所述第1半導體的暴露部形成有電極;以及支持體,在表面具有鄰接的多個凹部,該凹部用于一個一個地設置所述光電轉換元件,所述凹部在底部具有比所述光電轉換元件小的孔,該支持體兼作與設置于所述凹部中的各光電轉換元件的第2半導體層電連接的第2導電體層;所述光電轉換元件通過導電粘合劑固定在所述凹部內,以便所述第2半導體層與所述孔的邊緣部接觸,且所述第1半導體的暴露部與支持體的背面?zhèn)认鄬Γ辉谒鲋С煮w的背面,第1導電層和電絕緣層接合著,該電絕緣層使所述支持體與所述第1導電體層絕緣,所述第1導電體層通過設在所述電絕緣層上的孔,與所述電極電連接。
中國專利公開說明書CN03120662.X公開了一種光電轉換裝置及其制造方法,涉及一種可以提高晶體硅類半導體和非晶體硅類半導體的界面特性,改善結合特性的光電轉換裝置。這種光電轉換裝置具有一種導電型的導入有雜質的晶體類半導體,形成在所述導電型晶體類半導體上的、基本上為真正的非晶體類半導體薄膜,以及形成在這種基本上為真正的非晶體類半導體薄膜上的、同種導電型的導入有雜質或其他種導電型雜質的非晶體類半導體薄膜,而且在由所述晶體類半導體和基本上為真正的非晶體類半導體薄膜形成的界面處,還使減少所述基本上為真正的非晶體類半導體薄膜的平均配位數目用的原子濃度比主體中的濃度高。但其制造方法復雜,生產成本較高。
中國專利公開說明書CN200510003971.2公開了一種光電轉換裝置,該裝置使用電阻率和透過率之間關系的透明電極或者透明導電膜來實現光電轉換率。在透明絕緣性基板上至少依次層積有:第一透明電極,由p型硅層、i型硅層以及n型硅層構成的pin結構或者nip結構的微結晶硅層,第二透明電極以及背側電極,其中,所述第一透明電極以及所述第二透明電極的至少某一項是添加Ga的ZnO層,所述Ga的含量相對于Zn為小于或等于15原子。但其制造成本較高。
中國專利公開說明書CN200510072744.5提供了一種可以排除不必要的紅外線光,且可提高可靠性的光電轉換裝置。它包括在表面上形成了光電轉換元件的半導體基板;以覆蓋半導體基板表面的至少一部分的方式設置的可見光濾波器;粘接在半導體基板表面上的上部支撐基體;上部支撐基體用吸收紅外線光的樹脂層)粘接了多個具有透光性的基體。但其制造工藝復雜。
中國專利公開說明書CN200480004033.8提供了一種薄膜光電轉換裝置,特別是提供一種集成化薄膜光電轉換裝置,它在包含結晶硅光電轉換單元的薄膜光電轉換裝置中,通過不使開放端電壓和填充因數變小來改善光電轉換效率。該薄膜光電轉換裝置,是在透明基板一側的主面上至少把透明電極膜、結晶硅光電轉換單元和背面電極膜順序形成的薄膜光電轉換裝置,形成所述結晶硅光電轉換單元后,在其表面的一部分上具有白濁變色區(qū)域。所述白濁變色區(qū)域最好是小于或等于光電轉換區(qū)域面積的5%。而且最好是制成集成化薄膜光電轉換裝置。然而,該裝置之主要缺點是光電轉化率不高。
發(fā)明內容
本實用新型的目的是提供一種簡單、低成本、高光電轉化率的太陽能電池,以克服現有太陽能電池存在的缺陷。
本實用新型的顯著特點是:本實用新型涉及的太陽能電池的表面層表面和/或底面既可為非平坦結構形狀,也可為平面結構形狀,電池表面層上無電極,電池的集電柵和/或電極疊排在該電池的底面。本實用新型涉及的太陽能電池具有光吸收能力高,光電轉換效率高,穩(wěn)定性好,無鎘無毒等優(yōu)點。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





