[實用新型]銅銦鎵和硒或硫化物太陽能電池無效
| 申請號： | 200620152275.8 | 申請日： | 2006-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN201051502Y | 公開（公告）日： | 2008-04-23 |
| 發明（設計）人： | 劉津平 | 申請（專利權）人： | 劉津平 |
| 主分類號： | H01L31/042 | 分類號： | H01L31/042;H01L31/02;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 300052天津市和平*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 銅銦鎵 硫化物 太陽能電池 | ||
1.一種銅銦鎵和硒或硫化物太陽能電池，其特征在于：該電池襯底底面和/或表面具有凹凸形狀結構，在該襯底表面或底面依次覆有金屬背電極層、過渡層、含P型和/或n型半導體單層或多層疊合式光吸收層、緩沖層、透明導電層、集電柵和/或減反射膜層。
2.根據權利要求1所述的銅銦鎵和硒或硫化物太陽能電池，其特征在于：所述的襯底的厚度為0.1微米～15毫米，凹凸深度或高度為10納米～25微米、間距為10納米～25微米。
3.根據權利要求1所述的銅銦鎵和硒或硫化物太陽能電池，其特征在于：所述的金屬背電極層的厚度為0.01～10微米。
4.根據權利要求1所述的銅銦鎵和硒或硫化物太陽能電池，其特征在于：所述的過渡層的厚度為10～200納米；其材料選自氧化鋅或硫化鋅。
5.根據權利要求1所述的銅銦鎵和硒或硫化物太陽能電池，其特征在于：所述的含P型和/或n型半導體單層或多層疊合式光吸收層的總厚度為50納米～10微米。
6.根據權利要求1所述的銅銦鎵和硒或硫化物太陽能電池，其特征在于：所述的緩沖層的厚度為10～300納米；其材料選自氧化鋅或硫化鋅。
7.根據權利要求1所述的銅銦鎵和硒或硫化物太陽能電池，其特征在于：所述的透明導電層的厚度為10～200納米。
8.根據權利要求1所述的銅銦鎵和硒或硫化物太陽能電池，其特征在于：所述的集電柵的厚度為0.5微米～3毫米。
9.根據權利要求1所述的銅銦鎵和硒或硫化物太陽能電池，其特征在于：所述的減反射膜層的厚度為10～200納米。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
