[實(shí)用新型]圖像傳感器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200620149925.3 | 申請(qǐng)日: | 2006-11-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN200969351Y | 公開(kāi)(公告)日: | 2007-10-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳沂庭 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 聯(lián)華電子股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/146 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 陶鳳波 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 圖像傳感器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種傳感器,尤其涉及一種圖像傳感器。
背景技術(shù)
圖像傳感器(image?sensor)是將光學(xué)資訊轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的裝置。圖像傳感器的種類(lèi)可大致分為影像管與固定攝像元件。目前,固定攝像元件包括電荷耦合(Charged?Coupled?Device,CCD)型與互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)型兩種。
CMOS圖像傳感器驅(qū)動(dòng)方式簡(jiǎn)便,可實(shí)現(xiàn)多種掃描方式,而且可將信號(hào)處理電路制作成單一芯片,不僅可使產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)小體積,而且相容于CMOS技術(shù),可節(jié)省制造成本、降低電力損耗。因此,CMOS圖像傳感器可廣泛應(yīng)用于由于低階影像產(chǎn)品如安全監(jiān)控、數(shù)字相機(jī)、玩具、手機(jī)、圖像電話等。
然而,現(xiàn)有的CMOS圖像傳感器的彩色濾光片(color?filter,CF)為有機(jī)材料,熔點(diǎn)很低,約小于300℃,因此,彩色濾光片通常是在金屬內(nèi)連線形成之后,才形成在保護(hù)層上方,以避免被工藝的高溫熔融。由于光線通過(guò)彩色濾光片之后,并非直接傳遞至光電二極管,而必須經(jīng)過(guò)保護(hù)層、金屬內(nèi)連線結(jié)構(gòu),才能被光電二極管(photodiode)所接收,因此,光線會(huì)被介電層或保護(hù)層等膜層所吸收,其光線的穿透率低,互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管圖像傳感器的感光效能不佳。另一方面,由于聚光鏡之間有間隙,因此容易造成散射光線直接穿透間隙,甚至照射至相鄰的光感測(cè)區(qū),因而發(fā)生色干擾(cross-talk)現(xiàn)象,使CMOS圖像傳感器的噪聲增加。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種圖像傳感器,其可以提升光效能并且可減緩色干擾的現(xiàn)象。
本實(shí)用新型提出一種圖像傳感器,其包括多個(gè)位于基底中的光電二極管摻雜區(qū)、位于基底上方的保護(hù)層、位于基底與保護(hù)層之間的介電層以及多個(gè)位于介電層之中且與光電二極管摻雜區(qū)相對(duì)應(yīng)的彩色濾光片。
依照本實(shí)用新型實(shí)施例所述,上述彩色濾光片設(shè)置于介電層中的高度大致相同。彩色濾光片可設(shè)置于緊鄰基底表面的介電層中、設(shè)置于緊鄰保護(hù)層的介電層中,或是設(shè)置于介電層中未與保護(hù)層接觸且未與基底接觸之處。
依照本實(shí)用新型實(shí)施例所述,上述彩色濾光片設(shè)置于介電層中的高度不相同。彩色濾光片可分別設(shè)置于介電層中緊鄰基底表面之處、緊鄰保護(hù)層之處、和未與保護(hù)層接觸且未與基底接觸之處。
依照本實(shí)用新型實(shí)施例所述,上述彩色濾光片中至少有一者包括至少一第一彩色濾光片與一第二彩色濾光片,相互對(duì)應(yīng)地分別設(shè)置于介電層中不同高度之處。
依照本實(shí)用新型實(shí)施例所述,上述圖像傳感器,可還包括一抗反射層,配置于基底與介電層之間。此外,還可包括多個(gè)微透鏡,設(shè)置于保護(hù)層上,與光電二極管摻雜區(qū)相對(duì)應(yīng)。
依照本實(shí)用新型實(shí)施例所述,上述介電層包括一內(nèi)介電層與一金屬層間介電層,且上述彩色濾光片位于內(nèi)介電層中、位于金屬層間介電層中或位于內(nèi)介電層與金屬層間介電層之間。
依照本實(shí)用新型實(shí)施例所述,上述彩色濾光片的材質(zhì)為無(wú)機(jī)材料。
由于本實(shí)用新型圖像傳感器的彩色濾光片設(shè)置在保護(hù)層下方,因此,其可以提升光效能并且可減緩色干擾的現(xiàn)象。
為讓本實(shí)用新型的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂,下文特舉優(yōu)選實(shí)施例,并配合附圖,作詳細(xì)說(shuō)明如下。
附圖說(shuō)明
圖1是依照本實(shí)用新型一實(shí)施例所繪示的一種圖像傳感器的部分剖面示意圖;
圖2是依照本實(shí)用新型另一實(shí)施例所繪示的一種圖像傳感器的部分剖面示意圖;
圖3是依照本實(shí)用新型又一實(shí)施例所繪示的一種圖像傳感器的部分剖面示意圖;
圖4是依照本實(shí)用新型再一實(shí)施例所繪示的一種圖像傳感器的部分剖面示意圖;
圖5是依照本實(shí)用新型另一實(shí)施例所繪示的一種圖像傳感器的部分剖面示意圖;
圖6是依照本實(shí)用新型又一實(shí)施例所繪示的一種圖像傳感器的部分剖面示意圖。
主要元件符號(hào)說(shuō)明
10:圖像傳感器
100:基底
102:抗反射層
104:光電二極管摻雜區(qū)
106、106a、106b、106ba、106bb、106bc、106c:介電層
108、108a、108b、108ba、108bb、108c:彩色濾光片
110:保護(hù)層
112:微透鏡
具體實(shí)施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





