[實用新型]一種組合式開關及電源裝置無效
| 申請號： | 200620135461.0 | 申請日： | 2006-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN200983560Y | 公開（公告）日： | 2007-11-28 |
| 發明（設計）人： | 任文華 | 申請（專利權）人： | 任文華 |
| 主分類號： | H02M7/44 | 分類號： | H02M7/44 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310003浙江省杭*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 組合式 開關 電源 裝置 | ||
1、一種組合式開關，包括：功率MOSFET(S)；與功率MOSFET串聯的第一開關二極管(D1)，其功率MOSFET的寄生二極管與第一開關二極管屬反向串聯；與由功率MOSFET和第一開關二極管所組成的串聯電路進行并聯的第二開關二極管(D2)；其特征在于，在第一開關二極管(D1)上還并聯有電容器(C1)。
2、如權利要求1所述的一種組合式開關，其特征在于，所述的第一開關二極管(D1)的一端與所述的功率MOSFET的漏極相連。
3、如權利要求1所述的一種組合式開關，其特征在于，所述的第一開關二極管(D1)的一端與所述的功率MOSFET的源極相連。
4、如權利要求1所述的一種組合式開關，其特征在于，在所述的功率MOSFET(S)上還并聯有另外的至少一個功率MOSFET。
5、如權利要求1至4之一所述的一種組合式開關，其特征在于，所述的電容器(C1)的容量位于C(U-50)/(UF1+UF2+50)-CD1至CU/(UF1+UF2)-CD1之間，其中，U為功率MOSFET的工作電壓，UF1為第一開關二極管的正向壓降，UF2為第二開關二極管的正向壓降，C為功率MOSFET的總輸出電容，CD1為第一開關二極管的寄生電容。
6、一種電源裝置，其特征在于，包含有至少一個組合式開關，所述的組合式開關由功率MOSFET(S)、第一開關二極管(D1)、第二開關二極管(D2)和電容器(C1)所構成，第一開關二極管與電容器并聯后與功率MOSFET進行串聯，其功率MOSFET的寄生二極管與第一開關二極管屬反向串聯連接，第二開關二極管與由功率MOSFET、第一開關二極管和電容器所組成的電路進行并聯。
7、如權利要求6所述的一種電源裝置，其特征在于，在所述的功率MOSFET(S)上還并聯有另外的至少一個功率MOSFET。
8、如權利要求6或7所述的一種電源裝置，其特征在于，包含有半橋變換器和二個組合式開關，這二個組合式開關分別作為半橋變換器的兩個橋臂。
9、如權利要求6或7所述的一種電源裝置，其特征在于，包含有全橋變換器和四個組合式開關，這四個組合式開關分別作為全橋變換器的四個橋臂。
10、如權利要求6或7所述的一種電源裝置，其特征在于，所述的電容器(C1)的容量位于C(U-50)/(UF1+UF2+50)-CD1至CU/(UF1+UF2)-CD1之間，其中，U為功率MOSFET的工作電壓，UF1為第一開關二極管的正向壓降，UF2為第二開關二極管的正向壓降，C為功率MOSFET的總輸出電容，CD1為第一開關二極管的寄生電容。
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