[實用新型]高提取效率的半導體發光二極管結構無效
| 申請號： | 200620134179.0 | 申請日： | 2006-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN201060868Y | 公開（公告）日： | 2008-05-14 |
| 發明（設計）人： | 沈光地;達小麗;朱彥旭;徐晨;陳依新;黃紅娟 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司 | 代理人： | 劉萍 |
| 地址： | 100022*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提取 效率 半導體 發光二極管 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種高提取效率的半導體發光二極管結構，包括LED外延片，其特征是在LED外延片的最上層半導體材料表面上依次生長光學厚度為1/2波長整數倍的ITO透明導電膜(3)和光學厚度為1/4波長奇數倍的SixNy介質膜(2)，并且SixNy介質膜(2)的折射率為LED外延片最上層半導體材料的折射率的開方，P電極(1)的底部與ITO透明導電膜(3)直接接觸，P電極(1)的側壁與SixNy介質膜(2)直接接觸。
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