[實用新型]一種采用調頻機制的傳聲器

無效

• 申請號: 200620133825.1
• 申請日: 2006-09-19
• 公開（公告）號: CN200987216Y
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發明（設計）人: 喬東海;郝震宏;湯亮;田靜
• 申請（專利權）人: 中國科學院聲學研究所
• 主分類號: H04R19/01
• 分類號: H04R19/01;H04R19/04;H04R3/00
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司
• 代理人: 高存秀

1、一種采用調頻機制的傳聲器，包括電容傳聲芯片，其特征在于，還包括集成高Q射頻諧振器和射頻振蕩電路，所述集成高Q射頻諧振器與電容傳聲芯片串聯或并聯，并與所述射頻振蕩電路一起構成一個射頻振蕩回路；該射頻振蕩回路的輸出是一個頻率調制的射頻信號；所述的集成高Q射頻諧振器的是一種品質因數Q至少為100的射頻諧振器。

2、按權利要求1所述的采用調頻機制的傳聲器，其特征在于，所述電容傳聲芯片是硅微電容傳聲芯片。

3、按權利要求2所述的采用調頻機制的傳聲器，其特征在于，所述硅微電容傳聲芯片由硅基片及其上的穿孔背板、空氣隙、隔離層、保護層、振動膜及金屬電極組成。

4、按權利要求1所述的采用調頻機制的傳聲器，其特征在于，所述的集成高Q射頻諧振器是在硅基片上制作的薄膜體聲波諧振器或高階多模體聲波諧振器；或者是由壓電晶體或壓電陶瓷構成的晶體諧振器；或者是高Q集成電感和高Q集成電容組成的諧振器。

5、按權利要求1所述的采用調頻機制的傳聲器，其特征在于，所述的集成高Q射頻諧振器是一種諧振頻率范圍為10MHz～10GHz的射頻諧振器。

6、按權利要求1所述的采用調頻機制的傳聲器，其特征在于，所述的射頻振蕩電路由放大器、若干電阻、電容和電感一起構成；所述放大器包括晶體三極管、MOS管、場效應管或集成運算放大器；所述射頻振蕩電路、硅微電容傳聲芯片以及集成高Q射頻諧振器構成的射頻振蕩回路是一個皮爾斯結構射頻振蕩回路，或者是密勒射頻振蕩回路，或者是克拉潑射頻振蕩回路，或者是考皮茨射頻振蕩回路。

7、按權利要求6所述的采用調頻機制的傳聲器，其特征在于，所述射頻振蕩電路包括一個提供產生并維持振蕩的跨導的MOS三極管，該MOS三極管的柵極和漏極分別與硅微電容傳聲芯片和集成高Q射頻諧振器的一端連接，所述硅微電容傳聲芯片和集成高Q射頻諧振器的另一端相互串聯；所述MOS三極管的源極S接地；所述三極管的柵極和漏極還分別連接一個接地電容，所述MOS三極管的漏極輸出作為所述射頻振蕩電路的輸出端。

8、按權利要求1所述的采用調頻機制的傳聲器，其特征在于，所述硅微電容傳聲芯片、集成高Q射頻諧振器和射頻振蕩電路用相互兼容的CMOS工藝制作并構成一個單芯片系統。