[實用新型]金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200620121379.2
• 申請日: 2006-07-31
• 公開（公告）號: CN201004461Y
• 公開（公告）日: 2008-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 施泓林;江日舜;孟憲樑
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 陶鳳波;侯宇

1.一種金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體基底，該半導(dǎo)體基底包括有源區(qū)及隔離區(qū)，該隔離區(qū)圍繞該有源區(qū)以將該有源區(qū)予以電絕緣；

柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)于該有源區(qū)上；及

外延層，位于該有源區(qū)與該柵極結(jié)構(gòu)之間，并且該外延層的周邊部分覆蓋在該隔離區(qū)的周邊部分的上方。

2.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其特征在于，該外延層包括Si或SiGe。

3.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其特征在于，該外延層包括Si或SiC。

4.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其特征在于，該柵極結(jié)構(gòu)包括柵極電極層以及介于該柵極電極層與該半導(dǎo)體基底之間的柵極絕緣層。

5.如權(quán)利要求4所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其特征在于，該柵極結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括間隙壁，位于該柵極電極層以及該柵極絕緣層的側(cè)壁。

6.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其特征在于，該有源區(qū)包括漏極/源極區(qū)域，位于該柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的該半導(dǎo)體基底與該外延層中。

7.如權(quán)利要求6所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其特征在于，該漏極/源極區(qū)域包括輕摻雜區(qū)及摻雜區(qū)。

8.如權(quán)利要求6所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其特征在于，進(jìn)一步包括接觸孔蝕刻停止層，覆蓋于該源極/漏極區(qū)域上。

9.如權(quán)利要求6所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其特征在于，進(jìn)一步包括自對準(zhǔn)金屬硅化物層，位于該柵極電極層表面及該源極/漏極區(qū)域表面上。

10.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其特征在于，該有源區(qū)包括摻雜井。

11.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其特征在于，該外延層包括低濃度的摻雜物。

12.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其特征在于，該金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件為P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件或N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件。

13.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管元件，其特征在于，該隔離區(qū)包括淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。