[實用新型]一種電阻加熱垂直多坩堝晶體下降法生長系統

無效

• 申請號: 200620107455.4
• 申請日: 2006-09-07
• 公開（公告）號: CN200988868Y
• 公開（公告）日: 2007-12-12
• 發明（設計）人: 萬尤寶;黃國松;張建新
• 申請（專利權）人: 嘉興學院
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00
• 代理公司: 杭州中成專利事務所有限公司
• 代理人: 陳小良

1、一種電阻加熱垂直多坩堝下降法晶體生長系統，包括晶體爐(1)、坩堝裝置(19)、晶體臺(17)和溫度控制裝置(18)，其中晶體爐(1)包括爐體、發熱體(2)和爐膛(3)，坩堝裝置(19)位于晶體臺(17)上，用于置放生產晶體的原料，晶體臺(17)位于晶體爐(1)下方，在其自帶的升降裝置控制下能做垂直升降運動，將晶體臺(17)上的裝有原料的坩堝裝置(19)送入晶體爐(1)爐膛(3)內，溫度控制裝置(18)通過線纜連接發熱體(2)，其特征是：所述的晶體爐(1)爐體從外到內包括外殼(4)、保溫棉(5)、保溫磚層(6)、耐火層(7)、摩根磚(8)、工字磚層(9)和爐體支撐架(11)，其中耐火層位于爐膛附近高溫區，摩根磚(8)位于爐膛中下部；所述的坩堝裝置(19)包括導向管(20)、保溫粉(21)、坩堝(22)、坩堝(22)內的熔體(23)以及籽晶(24)和正在生長的晶體(25)；所述的溫度控制裝置包括單片機(12)、可控硅(13)、溫度傳感器(14)和變壓器(15)，其中單片機通過穩壓器(16)上的電源線接入電源，并通過信號線連接置于晶體爐(1)爐膛(3)內的溫度傳感器(14)，及通過數據線連接計算機，受計算機程序控制，可控硅(13)通過信號線從單片機(12)接入控制信號，通過電源線連接變壓器(15)輸出控制，變壓器(15)通過電纜連接晶體爐(1)上的發熱體(2)。

2、根據權利要求1所述的晶體生長系統，其特征是：所述的晶體爐(1)爐體外殼(4)可以采用鋁合金罩、不銹鋼底座的復合結構，也可以全部采用不銹鋼；所述的保溫棉(5)采用硅酸鋁保溫棉或氧化鋁耐火棉或氧化鋯耐火棉；所述的保溫磚層(6)的厚度左右比前后與不同，左右加厚，頂面在中間位置加厚；耐火層(7)采用氧化鋁泡沫磚或氧化鎂耐火磚；所述的工字磚層(9)由摩根磚砌成，其位置及尺寸相對應于坩堝(22)上的導向管(20)匹配；所述的保溫粉采用氧化鋁粉末或氧化鋯粉末。

3、根據權利要求1所述的晶體生長系統，其特征是：所述的發熱體根據生長不同晶體需要可以替換，在生長1000℃以下溫度的晶體時可以采用電阻絲或硅碳棒，在生長1000～1300℃的晶體時可以采用硅碳棒或硅鉬棒，在生長1300～1600℃的晶體時可以采用硅鉬棒。