[實用新型]一種橈動脈半導體激光照射治療裝置

無效

• 申請號: 200620098711.8
• 申請日: 2006-08-23
• 公開（公告）號: CN200987836Y
• 公開（公告）日: 2007-12-12
• 發明（設計）人: 李江;陳華春;汪有玉;鄔廷軍;李松
• 申請（專利權）人: 南寧松景天倫生物科技有限公司
• 主分類號: A61N5/067
• 分類號: A61N5/067;A61M1/36;A61B5/02;A61B18/20
• 代理公司: 南寧明智專利事務所有限公司
• 代理人: 張智生

技術領域

本實用新型涉及一種醫療裝置，尤其是半導體激光治療儀。

背景技術

半導體激光器是以半導體材料作為工作介質的，半導體激光器體積很小，壽命長，而且電源結構簡單，正是這些優點吸引醫用工業研究設計人員用半導體激光器取代其他種類激光器。作為改進激光醫用儀器的主要措施，這一趨勢正在快速發展之中。原因有二：一是由于半導體激光器發展很快；二是由于激光醫用儀器小型化的迫切要求。

激光激發的血液熒光主要是在600～670nm之間，而630～650nm光譜處于峰值，根據分子熒光發光機制，激發血液由基態至激發態，用波長為630～650nm的激光作為激光源，能夠達到最好的治療效果。

從化學物質的熒光譜上來看，630～650nm熒光是血嘌啉衍生物的特征光譜，而嘌啉的一個主要功能是合成血紅素，在人體輸氧過程中起重要作用。從這一點看，激光照射血液時，嘌啉類物質產生能態變化(由基態到激發態)，可致其化學活性增加，從而導致血紅素等的活性增加，血液攜氧能力增加。多年來的臨床醫學實踐證明，波長為650nm的半導體激光作為激光源，能夠產生很好的治療效果。

近年來，激光技術在醫學領域中的理論研究與臨床應用已經取得許多重要成果和實踐經驗。心腦血管激光治療儀就是半導體激光器的一種應用，此類激光治療儀分為體內照射和體外照射兩種方式。

體內照射的激光治療儀是通過將激光束用光纖針穿刺血管將激光束導人血液中，用1～3mw的激光光束照射血液后，能起到激活紅細胞，增加紅細胞的變形性，降低紅細胞和血小板聚集，使血粘度下降等作用，從而改善心腦等臟器的缺血、缺氧，對腦梗塞，腦中風，腦血拴，冠心病，急性心肌梗塞，心絞痛，高血脂等癥均有較好療效，而且已經在大量臨床應用中取得了較好的效果。但是，激光血管內照射存在致命的缺點，由于每次治療時，都要用光纖穿刺血管，極易引起交叉感染。

體外照射的激光治療儀，可以有效地避免血管內照射使用光纖穿刺血管，極易引起交叉感染的缺點。目前使用的主要有兩種治療方式：

一種是鼻腔內照射，目前市場上的激光治療儀大部分都是采用此類方式，該類型治療儀使用一個5mw左右的半導體激光器，通過一次性軟套包裹套管，直接伸入鼻腔進行左右交替照射。但是，鼻腔內照射也存在著使用不方便、不衛生，經常需要更換套管等缺點，容易對使用者造成不便，存在使用耗材的成本，加重了使用者的經濟負擔。

另一種是激光體外血管照射，醫學研究表明，當650納米波長的激光束垂直入射機體，從體表照射動脈血管時，激光能量透過皮膚、肌肉和血管壁，被血液吸收，可達到與激光血管內照射同樣的效果。目前現有的體外血管照射激光治療儀主要采用1個或1個以上呈一字型排列的激光器貼近動脈血管處進行體表照射，激光器的輸出功率在5mW～24mW左右。由于動脈血管體表激光照射所具有的特性，因而皮膚表面的折射率匹配、入射光斑大小和入射光束中的能量分布密切相關。從現有的體外血管照射激光治療儀技術結構看，不能產生足夠的激光能量密度，因而未能輸送足夠有效的激光能量到達動脈血管產生效應，從而影響治療功效。另外，現有的激光治療儀缺乏半導體激光功率輸出的穩定性控制和更為有效激光安全防護措施。

再者，對于患者腦梗塞，腦中風，腦血拴，冠心病，急性心肌梗塞，心絞痛，高血脂，高血壓等癥狀的人群普遍都比較關心自己的血壓、心率等的數值，一般的激光治療儀均未具備血壓測試以及心率測試的功能，不能向用戶提供更全面、更高效、更安全的健康呵護。

發明內容

本實用新型的目的是提供一種衛生、安全及穩定橈動脈半導體激光照射治療裝置。

為了實現上述目的，本實用新型采用了如下技術方案：

一種橈動脈半導體激光照射治療裝置，它包括顯示器、CPU和電源，其特征在于還包括：

含多級放大電路和濾波電路，將一組心率檢測電極的弱電信號，經放大和濾波后，送給所述微電腦CPU進行運算的心電測試模塊；

含四個以上偶數及并列設置的半導體激光二構管構成的激光器，該激光器通過載體設置在人體左手腕上，發出的激光照射在橈動脈上；

受所述微電腦CPU的控制，由激光輸出腔和激光安全裝置窗口組成的防激光器誤照射眼睛的安全裝置；

同時受所述的微電腦CPU和安全裝置的控制，含三個運算放大器和主要由一個三極管構成的電流源放大電路組成，使激光器輸出功率為20～40mw的精確控制電路；

和/