[實用新型]一種中心定位的功率器件

無效

• 申請號: 200620052530.1
• 申請日: 2006-10-19
• 公開（公告）號: CN201022078Y
• 公開（公告）日: 2008-02-13
• 發明（設計）人: 黃建偉;劉國友;熊輝;鄒冰艷;魏志紅
• 申請（專利權）人: 株洲南車時代電氣股份有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L23/16
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所
• 代理人: 趙洪

技術領域

本實用新型為一種功率器件結構布置方法及裝置，具體說是一種功率晶閘管半導體基片定位結構布置方法及裝置，也可以用于各種晶閘管的結構中。

技術背景

晶閘管一般都是由晶閘管半導體基片和絕緣殼體所組成，而且為了保證器件的穩定，晶閘管半導體基片是由陰極鉬片和陽極鉬片夾著芯片所構成的。為了使晶閘管半導體基片在器件腔體內準確定位，往往需要進行定位。現有的晶閘管半導體基片定位多采用定位環進行定位(見附圖1)。該種定位方法，是在管座上套一個定位環，通過定位環的內圈給晶閘管半導體基片定位。這種定位方式存在以下一些不足：

1.因定位環與芯片距離較近，在器件工作時，定位環有可能會對芯片邊緣的灌膠層直接施力，從而影響芯片的工作性能。

2.對于大功率的器件，要求定位環應隨芯片的加大而尺寸增加，但是定位環太大，就給加工加大了難度；

3.就加工而言，實體定位環因為是大環，因此加工精度很難保證，尺寸越大，變形也隨之加大，而且這種變形很難避免。

綜上所述，現在的晶閘管半導體基片定位的確存在一些不足，因此很有必要對此加以改進。

實用新型內容

本實用新型旨在克服現有晶閘管半導體基片定位的不足，提供一種新的晶閘管半導體基片定位方法及裝置，該功率晶閘管半導體基片定位結構更簡單，加工精度容易保證，且不會影響芯片的工作性能。

本實用新型的目的通過下述技術方案予以實現：一種功率晶閘管，包括絕緣殼體、管座、管蓋、管芯、陰極鉬片和陽極鉬片，管芯夾在陰極鉬片和陽極鉬片之間，形成半導體基片，半導體基片又安置于管座與管蓋之間，管座與管蓋又分別通過上連接件和下連接件與絕緣殼體連接，形成一個封閉腔體，半導體基片正好置于封閉腔體之內，其特征在于：采取中心定位的方法，在陽極鉬片的中心開有定位孔，在管座的內面中心也開有定位孔，且管座內面的定位孔為盲孔，在陽極鉬片中心定位孔與管座內面的定位孔中有用于定位的定位銷，晶閘管半導體基片是通過定位銷和陽極鉬片中心定位孔與管座內面的定位孔進行定位的。

本實用新型的優點在于：

1、因定位環與芯片距離較近，在器件工作時，定位環有可能會對芯片邊緣的灌膠層直接施力，從而影響芯片的工作性能。而定位銷是位于官殼中央的，與之接觸的是管座與陽極鉬片，所以不會對芯片造成影響：

2、對于大功率的器件，要求定位環應隨芯片的加大而尺寸增加，但是定位環太大，就給加工加大了難度；

3、中心定位銷與定位環采用了相同的原料，但是因形狀不同，采用中心定位銷定位后，大大節約了原料：

4、就加工而言，實體的柱狀定位銷與環狀定位環相比，加工精度更容易保證，對于定位環而言，尺寸越大，變形也隨之加大，而且這種變形很難避免。

附圖說明

圖1為本實用新型晶閘管半導體基片定位結構示意圖。

圖中：1-管座；2-管蓋；3-管芯；4-門極組件；5-定位銷；6-陰極鉬片；7-陽極鉬片；8-陶瓷絕緣管殼；9-陽極鉬片中心定位孔；10-管座中心定位孔。

具體實施方式

附圖給出了本實用新型的一種示意圖，下面將結合附圖對本實用新型作進一步的描述。

通過附圖可以看出本實用新型為一種功率晶閘管，包括陶瓷絕緣管殼9、管座1、管蓋2、管芯3、陰極鉬片6和陽極鉬片7，管芯3夾在陰極鉬片6和陽極鉬片7之間，形成半導體基片，半導體基片又安置于管座1與管蓋2之間，并由中心定位銷5定位，在管蓋2與陰極鉬片6之間設有門極組件4，管座1與管蓋2又分別通過上連接件和下連接件與陶瓷絕緣管殼8連接，形成一個封閉腔體，半導體基片正好置于封閉腔體之內。其特征在于：采取中心定位的方法，在陽極鉬片7的中心開有陽極鉬片中心定位孔9，在管座1的內面中心也開有管座中心定位孔10，且管座內面的管座中心定位孔為盲孔，在陽極鉬片中心定位孔與管座內面的管座中心定位孔中有用于定位的定位銷5，晶閘管半導體基片是通過定位銷5和陽極鉬片中心定位孔9與管座內面的管座中心定位孔10進行定位的。