[實用新型]一種離子注入設備無效
| 申請號： | 200620048877.9 | 申請日： | 2006-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN200986914Y | 公開（公告）日： | 2007-12-05 |
| 發明（設計）人： | 秦宏志;錢吳全;蔡國輝;李偉 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/265 | 分類號： | H01L21/265;H01L21/425;H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 2012*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 離子 注入 設備 | ||
【權利要求書】：
1、一種離子注入設備，其包括底座、離子束產生裝置、基座、晶圓臺和晶圓臺驅動裝置，其中，該晶圓臺驅動裝置包括垂直運動驅動裝置，其特征在于，該晶圓臺驅動裝置還包括轉動驅動裝置，該轉動驅動裝置配合垂直運動驅動裝置驅動晶圓臺運動使該離子束產生裝置發射的離子束可注入至放置在晶圓臺上的晶圓面上的任一點。
2、如權利要求1所述的離子注入設備，其特征在于，該垂直運動驅動裝置包括一電機和一控制電機運轉的垂直運動控制單元。
3、如權利要求2所述的離子注入設備，其特征在于，該電機為步進電機或直線電機。
4、如權利要求1所述的離子注入設備，其特征在于，該轉動驅動裝置包括一電機和一控制電機運轉的轉動控制單元。
5、如權利要求4所述的離子注入設備，其特征在于，該電機為伺服電機。
6、如權利要求1所述的離子注入設備，其特征在于，該離子束產生裝置發射的離子束為高速離子束。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
