[實用新型]大功率發光二極管光源裝置及具有該光源裝置的燈具

無效

• 申請號: 200620048103.6
• 申請日: 2006-11-23
• 公開（公告）號: CN200979881Y
• 公開（公告）日: 2007-11-21
• 發明（設計）人: 占賢武;孟世界
• 申請（專利權）人: 寧波安迪光電科技有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L25/075;F21S4/00;F21Y101/02
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所
• 代理人: 翟羽

【技術領域】

本實用新型涉及發光二極管的封裝技術領域，更確切地說，涉及一種大功率發光二極管光源裝置的封裝結構。

【背景技術】

與本實用新型相關的現有技術可參閱2002年3月27日公開的公開號為CN1341966A的中國專利申請，該實用新型專利申請揭示了一種大功率發光二極管發光裝置，請參閱圖5所示，該大功率發光二極管發光裝置包括至少兩個發光二極管芯片1’，并被安裝在至少一個反射體2’上，反射體2’被安裝在基板3’和散熱器4’上，基板3’和散熱器4’之間設置有導熱膠5’。然而，該技術方案在封裝過程中，由于熒光粉沉淀及點膠量不一致等原因，導致單個發光二極管芯片發出的光顏色很難保持一致，從而導致產品的整體光色不均勻，影響了整個發光二極管發光裝置的發光效果。

【實用新型內容】

本實用新型所要解決的技術問題是克服上述缺陷，提供一種光色一致性較好的大功率發光二極管光源裝置及具有該光源裝置的燈具。

本實用新型是通過以下技術方案實現的：本實用新型一種大功率發光二極管光源裝置，包括一基座、若干發光二極管芯片及一覆蓋所有發光二極管芯片的透鏡，所述發光二極管芯片分別配置于所述基座上設置的若干凹陷部內，所述凹陷部由第一凹陷部和第二凹陷部形成的階梯形凹陷部，所述發光二極管芯片安裝于所述階梯形凹陷部之第一凹陷部的底面，所述發光二極管上表面與所述第二凹陷部的底面之間形成的上表面間隙內設有透光材料，所述透光材料上方的第二凹陷部內設有發光粉層。

一種燈具，包括一外殼、若干光源裝置及出光板，所述光源裝置收容于所述外殼內，所述出光板與外殼相連將光源裝置封入外殼中，所述光源裝置，包括一基座、若干發光二極管芯片及一覆蓋所有發光二極管芯片的透鏡，所述發光二極管芯片分別配置于所述基座上設置的若干凹陷部內，其特征在于：所述凹陷部由第一凹陷部和第二凹陷部形成的階梯形凹陷部，所述發光二極管芯片安裝于所述階梯形凹陷部之第一凹陷部的底面，所述發光二極管上表面與所述第二凹陷部的底面之間形成的上表面間隙內設有透光材料，所述透光材料上方的第二凹陷部內設有發光粉層。

與現有技術相比，本實用新型大功率發光二極管光源裝置通過在陶瓷基座上直接開設階梯型凹陷部，使得發光二極管芯片置于第一凹陷部內，同時在發光二極管芯片與第一凹陷部側面之間的側面間隙及所述發光二極管芯片上表面與所述第二凹陷部底面之間形成的上表面間隙內分別設置透光材料，從而使發光粉只設置在發光二極管芯片的光出射面上方的第二凹陷部內，在改善光效的同時，也很大程度上的提高了光色一致性。

【附圖說明】

圖1為本實用新型大功率發光二極管光源裝置的局部剖視圖。

圖2為本實用新型大功率發光二極管光源裝置基座的局部放大剖視圖。

圖3為本實用新型大功率發光二極管光源裝置基座上階梯型凹陷部內裝入發光二極管芯片后的局部放大剖視圖。

圖4為本實用新型大功率發光二極管光源裝置基座上階梯型凹陷部內封入硅膠和熒光分后的局部放大剖視圖。

圖5為現有技術大功率發光二極管發光裝置結構圖。

【具體實施方式】

請參閱圖1所示，本實用新型一種大功率發光二極管發光裝置10包括一陶瓷基座100、散熱結構102、連接散熱結構102和陶瓷基座100的導熱膠101、若干發光二極管芯片3、覆蓋所有發光二極管芯片3的透鏡8以及用于連接外電源的電連接裝置(未示出)，所述發光二極管芯片3與該電連接裝置電性連接。

請一并參閱圖2、圖3及圖4所示，所述陶瓷基座100上設置有若干收容發光二極管芯片3的階梯型凹陷部2，該階梯型凹陷部2具有由第一凹陷部21和第二凹陷部22形成，所述第一凹陷部21側面210與底面211圍合有一第一收容空間212，所述第二凹陷部22側面220與底面221圍合有一第二收容空間222。