[實用新型]光能波半導體晶片構造無效
| 申請號： | 200620043133.8 | 申請日： | 2006-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN200962431Y | 公開（公告）日： | 2007-10-17 |
| 發明（設計）人： | 黃定宗 | 申請（專利權）人： | 黃定宗 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L41/09;H01L37/00 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 | 代理人： | 吳林松 |
| 地址： | 臺灣省彰化縣*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光能 半導體 晶片 構造 | ||
【權利要求書】：
1、一種光能波半導體晶片構造，其特征在于：是包含有：
一基材，是可供發熱的低膨脹系數材料任一或混合所預先成型的元件；
一披覆材，是均勻披覆或噴附于基材表面的導電材料，使基材具有半導電性。
2、如權利要求1所述的光能波半導體晶片構造，其特征在于：其中該披覆材的披覆厚度在3μ～300μmm間。
3、如權利要求1所述的光能波半導體晶片構造，其特征在于：所述的基材為鋁合金材料。
4、如權利要求1所述的光能波半導體晶片構造，其特征在于：所述的基材為琺瑯質材料。
5、如權利要求1所述的光能波半導體晶片構造，其特征在于：所述的基材為鈦合金材料。
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