[實用新型]一種具有雙介質埋層的耐壓層結構及SOI功率器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200620035998.X
• 申請日: 2006-10-25
• 公開（公告）號: CN200986921Y
• 公開（公告）日: 2007-12-05
• 發(fā)明（設計）人: 羅小蓉;張波;李肇基;楊壽國;詹瞻
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/00
• 分類號: H01L29/00;H01L29/786;H01L29/78;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/74;H01L27/12;H01L23/00
• 代理公司: 成都天嘉專利事務所
• 代理人: 徐豐

1、一種具有雙介質埋層的耐壓層結構，包括襯底層(1)、介質層(2、14)、有源半導體層(3)、其特征在于：介質層有第一介質層(2)和第二介質層(14)，所述第一介質層(2)與第二介質層(14)之間設有中間層(15)，第一介質層另一側與有源半導體層(3)相連，第二介質層(14)另一側與襯底層(1)相連。

2、根據(jù)權利要求1所述的具有雙介質埋層的耐壓層結構，其特征在于：所述中間層(15)為多晶硅或鍺硅。

3、根據(jù)權利要求1或2所述的具有雙介質埋層的耐壓層結構，其特征在于：所述兩層介質層(2、14)采用SiO₂或Si₃N₄。

4、一種采用雙介質埋層的SOI功率器件，其耐壓層包括襯底層(1)、介質埋層(2、14)、有源半導體層(3)、其特征在于：介質埋層有第一介質層(2)和第二介質層(14)，所述第一介質層(2)與第二介質層(14)之間設有中間層(15)，第一介質層另一側與有源半導體層(3)相連，第二介質層(14)另一側與襯底層(1)相連。

5、根據(jù)權利要求4所述的采用雙介質埋層的SOI功率器件，其特征在于：所述中間層(15)為多晶硅或鍺硅。

6、根據(jù)權利要求4或5所述的采用雙介質埋層的SOI功率器件，其特征在于：所述兩層介質層(2、14)采用SiO₂或Si₃N₄。