[實(shí)用新型]平面PIN光電二極管淺臺(tái)面芯片無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200620015280.4 | 申請(qǐng)日： | 2006-10-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN200965884Y | 公開（公告）日： | 2007-10-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 曹均凱;王國棟;吳中海;周勇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳飛通光電子技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L31/105 | 分類號(hào)： | H01L31/105 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518057廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 平面 pin 光電二極管 臺(tái)面 芯片 | ||
【權(quán)利要求書】：
1、一種平面PIN光電二極管淺臺(tái)面芯片(20)，其外延片結(jié)構(gòu)包括在n型摻雜的InP襯底(21)上依序外延生長n型摻雜的InP過渡層(22)、不摻雜InGaAs吸收層(23)、不摻雜InP腐蝕終止層(24)、p型摻雜InP帽層(25)和p型摻雜InGaAs歐姆層(26)，其特征在于，所述不摻雜InP腐蝕終止層(24)和p型摻雜InP帽層(25)之間還外延生長有不摻雜InGaAs引入層(25′)。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
