[發明專利]電源電壓供電電路

無效

• 申請號: 200610201404.2
• 申請日: 2006-12-26
• 公開（公告）號: CN101212147A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 黃種棋;袁廣東;潘建純;張衛民
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: H02J9/06
• 分類號: H02J9/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電源電壓供電電路，其包括一信號輸入端、一PMOS晶體管、一第一NMOS晶體管、一主電源、一備用電源、一驅動電路及一隔離電路，所述信號輸入端與所述PMOS晶體管的柵極連接，所述隔離電路連接在所述信號輸入端與所述第一NMOS晶體管的柵極之間，所述驅動電路與所述隔離電路并聯連接，所述PMOS晶體管的源極與所述備用電源連接，所述第一NMOS晶體管的源極與所述主電源連接，所述PMOS晶體管及所述第一NMOS晶體管的漏極作為電壓輸出端，所述信號輸入端輸入的控制信號為高電平時，所述隔離電路導通使所述控制信號傳送至所述第一NMOS晶體管的柵極，所述電壓輸出端輸出所述主電源電壓，所述信號輸入端輸入的控制信號為低電平時，所述隔離電路阻隔所述控制信號傳送至所述第一NMOS晶體管的柵極，所述驅動電路接收所述控制信號后將所述第一NMOS晶體管的柵極拉低為低電平，所述電壓輸出端輸出所述備用電源電壓。

2.如權利要求1所述的電源電壓供電電路，其特征在于：所述驅動電路包括一NPN型晶體管及一第二NMOS晶體管，所述NPN型晶體管的發射極接地，所述第二NMOS晶體管的柵極與所述NPN型晶體管的集電極連接，所述NPN型晶體管的基極受所述控制信號的控制，所述第二NMOS晶體管的源極接地，所述第二NMOS晶體管的漏極與所述第一NMOS晶體管的柵極連接，所述控制信號為低電平時，所述NPN型晶體管截止，所述NPN型晶體管的集電極被拉升為高電平。

3.如權利要求2所述的電源電壓供電電路，其特征在于：所述隔離電路包括一二極管及一電阻，所述二極管的陽極接入所述控制信號，所述二極管的陰極通過所述電阻與所述第一NMOS晶體管的柵極連接。

4.如權利要求2所述的電源電壓供電電路，其特征在于：所述NPN型晶體管的集電極通過一上拉電阻與所述電壓輸出端連接。

5.如權利要求2所述的電源電壓供電電路，其特征在于：所述驅動電路還包括一第二電阻、一第三電阻及一第四電阻，所述第二電阻的一端作為所述驅動電路的輸入端接入所述控制信號，所述第二電阻的另一端通過所述第三電阻與所述NPN型晶體管的基極連接，所述第二電阻及所述第三電阻的節點通過所述第四電阻接地。

6.如權利要求5所述的電源電壓供電電路，其特征在于：所述驅動電路還包括一電容，所述電容與所述第四電阻并聯連接。