[發明專利]多晶硅圖案形成方法、多層交叉點電阻存儲器及制造方法

有效

• 申請號: 200610172718.4
• 申請日: 2006-12-26
• 公開（公告）號: CN101114585A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發明（設計）人: 殷華湘;樸永洙;鮮于文旭;趙世泳
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L27/24;H01L21/822
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 張波

1.一種形成多晶硅圖案的方法，該方法包括：

在半導體襯底上形成點型非晶硅圖案；

在該襯底上形成蓋層從而覆蓋該非晶硅圖案；

利用準分子激光退火工藝多晶化該非晶硅圖案；以及

去除該蓋層。

2.根據權利要求1的方法，其中該非晶硅圖案形成為10至100000埃的寬度。

3.根據權利要求1的方法，其中該非晶硅圖案形成為10至30000埃的厚度。

4.根據權利要求1的方法，其中該非晶硅圖案形成為圓形點或正方形點。

5.根據權利要求1的方法，其中該準分子激光退火工藝以200至3000mJ/cm²的強度進行。

6.根據權利要求1的方法，其中該多晶硅圖案的寬度窄于該非晶硅圖案的寬度，且該多晶硅圖案的高度高于該非晶硅圖案的高度。

7.根據權利要求1的方法，其中該多晶硅圖案形成為柱。

8.一種形成多晶硅圖案的方法，該方法包括：

準備其上形成下圖案的半導體襯底；

在該襯底的該下圖案上形成具有第一寬度和第一高度的點型非晶硅圖案；

形成覆蓋該非晶硅圖案的蓋層；

利用準分子激光退火工藝多晶化該非晶硅圖案從而形成多晶硅圖案，該多晶硅圖案形成為柱且具有比該第一寬度窄的第二寬度和比該第一高度高的第二高度；以及

去除該蓋層。

9.根據權利要求8的方法，其中該下圖案由金屬材料形成。

10.根據權利要求8的方法，其中該非晶硅圖案形成為10至100000埃的寬度。

11.根據權利要求8的方法，其中該非晶硅圖案形成為10至30000埃的厚度。

12.根據權利要求8的方法，其中該非晶硅圖案形成為圓形點或正方形點。

13.根據權利要求8的方法，其中該準分子激光退火工藝以200至3000mJ/cm²的強度進行。

14.一種多層交叉點電阻存儲器，包括：

形成在半導體襯底上的導線；

在該導線上由多晶硅形成的第一垂直二極管；

形成在該第一垂直二極管上的第一下電極；

第一堆疊線形圖案，形成在該第一下電極上從而以直角交叉該導線，且包括其中第一電阻器和第一上電極順序堆疊的結構；

在該第一堆疊圖案上由多晶硅形成的第二垂直二極管；

該第二垂直二極管上的第二下電極；以及

第二堆疊線形圖案，形成在該第二下電極上從而以直角交叉該第一堆疊圖案，且包括其中第二電阻器和第二上電極順序堆疊的結構。

15.根據權利要求14的存儲器，其中該第一和第二垂直二極管分別由通過利用準分子激光退火工藝多晶化形成在該導線上和該第一堆疊圖案上的非晶硅圖案而獲得的多晶硅圖案形成。

16.根據權利要求14的存儲器，其中該第一和第二垂直二極管分別包括下部分上的n型雜質區和上部分上的p型雜質區。

17.根據權利要求14的存儲器，其中該第一和第二垂直二極管具有比該第一和第二堆疊圖案的寬度窄的寬度。

18.根據權利要求14的存儲器，其中該第一和第二垂直二極管形成為柱。

19.根據權利要求14的存儲器，還包括：

具有與包括該第一垂直二極管、該第一下電極和該第一堆疊圖案的堆疊結構相同的結構的堆疊結構，其形成在該第二堆疊圖案上。

20.根據權利要求14的存儲器，還包括：

具有與包括該第一垂直二極管、該第一下電極、該第一堆疊圖案、該第二垂直二極管、該第二下電極和該第二堆疊圖案的堆疊結構相同的結構的至少一堆疊結構，其形成在該第二堆疊圖案上。