[發明專利]具有旁路晶體管的非易失性存儲器件及其操作方法

無效

• 申請號: 200610172133.2
• 申請日: 2006-12-27
• 公開（公告）號: CN101114520A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發明（設計）人: 金元柱;金錫必;玄在雄;樸允童;具俊謨
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/10;G11C16/26;H01L27/115
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 呂曉章;李曉舒

1.一種非易失性存儲器件，包括：

連接到一個串并與該串相交的第一和第二位線；

包括在第一和第二位線之間的串中且每一個都具有控制柵極和存儲節點的第一和第二存儲晶體管；

包括在第一位線和第一存儲晶體管之間的串中并包括第一旁路柵極的第一旁路晶體管；

包括在第二存儲晶體管和第二位線之間的串中并包括第二旁路柵極的第二旁路晶體管；

包括在第一和第二存儲晶體管之間的串中并包括第三旁路柵極的第三旁路晶體管；

連接到第三旁路晶體管的溝道上的第三位線；和

共同連接到第一和第二存儲晶體管中的每一個的控制柵極的字線。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述字線跨過第一、第二和第三位線延伸。

3.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述第一、第二和第三旁路柵極跨過所述字線延伸。

4.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述第一和第二存儲晶體管具有閃存器件的結構。

5.如權利要求4所述的非易失性存儲器件，其中，所述第一和第二存儲晶體管中每一個的存儲節點作為浮動柵極節點或電荷俘獲節點而工作。

6.一種將權利要求1的非易失性存儲器件用作單位單元的非易失性存儲器件，該非易失性存儲器件包括在所述串上串行排列的多個單位單元，其中，在所述單位單元中共享所述字線。

7.如權利要求6所述的非易失性存儲器件，其中，在所述單位單元中的兩個相鄰的單位單元中共享所述第一和第二位線。

8.一種將權利要求1的非易失性存儲器件用作單位單元的非易失性存儲器件，該非易失性存儲器件包括：

在多個行中排列的多個單位單元；

共同連接在所述行中排列的單位單元中的第一旁路柵極的第一旁路線；

共同連接在所述行中排列的單位單元中的第二旁路柵極的第二旁路線；和

共同連接在所述行中排列的單位單元中的第三旁路柵極的第三旁路線，

其中，在所述行中排列的單位單元中共享所述第一、第二和第三位線。

9.一種操作非易失性存儲器件的方法，利用這種方法操作權利要求1的非易失性存儲器件，該方法包括：

選擇第一和第二存儲晶體管中的至少一個存儲晶體管，以便使用電荷的隧道效應在所選擇的存儲晶體管中編程數據；

選擇第一和第二存儲晶體管中的至少一個存儲晶體管，以便在所選擇的晶體管中讀數據；和

同時擦除在第一和第二存儲晶體管中的數據。

10.如權利要求9所述的方法，其中，編程數據包括：

向字線施加編程電壓；

向第一和第二位線施加編程阻止電壓；

向第三旁路柵極施加截止電壓；

向從第一和第二旁路柵極中選擇出的一個旁路柵極施加截止電壓；和

向其它的旁路柵極施加導通電壓。

11.如權利要求9所述的方法，其中，編程數據包括：

向字線施加編程電壓；

向第一和第二位線施加地電壓；

向第三旁路柵極施加截止電壓；

向從第一和第二旁路柵極中選擇出的一個旁路柵極施加導通電壓；和

向其它的旁路柵極施加截止電壓。

12.如權利要求9所述的方法，其中，讀數據包括：

向字線施加第一讀電壓；

向第一和第二位線中的至少一個位線施加第二讀電壓；和

向第三位線施加地電壓。

13.如權利要求9所述的方法，其中，擦除數據包括：

向字線施加地電壓；和

向第一和第二存儲晶體管的主體施加擦除電壓。