[發明專利]發光設備及其制造方法無效
| 申請號： | 200610172090.8 | 申請日： | 2006-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN101055886A | 公開（公告）日： | 2007-10-17 |
| 發明（設計）人： | 李春倬 | 申請（專利權）人： | LG電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L27/32 | 分類號： | H01L27/32;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 鐘強;夏凱 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 設備 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光設備，包括：
在基片上形成的第一電極和包括接觸部分的線路；
在第一電極和線路的一部分上形成的絕緣層，該絕緣層包括暴露第一電極的一部分的開口和暴露接觸部分的整個上表面的接觸孔；
在開口中形成的放射層；
在放射層上和通過接觸孔的接觸部分的上表面上形成的第二電極。
2.如權利要求1所述的有機發光設備，其中，該接觸孔還暴露接觸部分側表面的一部分或接觸部分的整個側表面。
3.如權利要求2所述的有機發光設備，其中，該第二電極通過接觸孔在接觸部分的側表面上形成。
4.如權利要求1所述的有機發光設備，其中，該接觸部分和線路包括具有傳導層和金屬層的多個層。
5.如權利要求4所述的有機發光設備，其中，該接觸部分和線路包括多個層，該多個層包括傳導層、第一鉬層、鋁層和第二鉬層，每層分別按順序形成在另一層上，其中，該接觸孔暴露接觸部分的鋁層的側表面。
6.如權利要求1所述的有機發光設備，其中，該放射層包括有機材料。
7.一種制造發光設備的方法，包括：
在基片上形成第一電極和包括接觸部分的線路；
在第一電極和線路的一部分上形成絕緣層，該絕緣層包括暴露第一電極的一部分的開口和暴露接觸部分的整個上表面的接觸孔；
在開口中形成放射層；
在放射層和通過接觸孔的接觸部分的上表面上形成第二電極。
8.如權利要求7所述的方法，其中，該接觸孔還暴露接觸部分側表面的一部分或接觸部分的整個側表面。
9.如權利要求8所述的方法，其中，該第二電極通過接觸孔在接觸部分的上表面和接觸部分的側表面上形成。
10.如權利要求7所述的方法，進一步包括：
在絕緣層上形成阻擋條，其中，由阻擋條分隔地形成第二電極。
11.如權利要求7所述的方法，其中，該接觸部分和線路包括具有傳導層和金屬層的多個層。
12.如權利要求11所述的方法，其中，該接觸部分和線路包括多個層，該多個層包括傳導層、第一鉬層、鋁層和第二鉬層，每層分別按順序形成在另一層上，其中，該接觸孔暴露接觸部分的鋁層的側表面。
13.如權利要求8所述的方法，其中，該放射層包括有機材料。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
