[發明專利]輸出信號驅動電路及驅動輸出信號的方法無效
| 申請號: | 200610171796.2 | 申請日: | 2006-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN101211654A | 公開(公告)日: | 2008-07-02 |
| 發明(設計)人: | 陳逸琳 | 申請(專利權)人: | 瑞昱半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C11/4096 | 分類號: | G11C11/4096 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 王志森;黃小臨 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 輸出 信號 驅動 電路 方法 | ||
技術領域
本發明提供一種輸出信號的電路及其相關方法,尤其指一種應用于存儲器(例如DDR存儲器)存取的輸出信號驅動電路及其方法。
背景技術
隨著處理器性能不斷的攀升,存儲器帶寬已經成為目前影響計算機系統的效能的一大瓶頸,所以各大半導體廠與芯片廠均不斷地開發新的存儲器規格與總線技術來作為存儲器帶寬的解決方案,現在的雙重數據傳輸率(Doubledata?rate,DDR)的存儲器發展技術亦不例外,從最初的DDRI,DDRII到最新的DDRIII存儲器傳輸規格,然而,在大幅提升存儲器數據存取量的同時,一般的專用集成電路(application?specific?integrated?circuit,ASIC)制造廠卻無法即時提供最先進的技術工藝供客戶使用。根據世界半導體標準協會(JDEC)所訂的DDR規格,DDRI存儲器必需遵循SSTL-25規格,即其存儲器的輸入/輸出(IO)端口的電壓必需為2.5V;DDRII存儲器必需遵循SSTL-18規格,即其存儲器的輸入/輸出端口的電壓必需為1.8V;而DDRIII存儲器則必需遵循SSTL-15規格,即其存儲器的輸入/輸出端口的電壓必需為1.5V,但是一般ASIC芯片制造廠只提供兩種工藝元件(亦即低壓元件和高壓元件)以供客戶使用,因此,在設計存儲器控制器(memory?controller)的輸入/輸出連接點(IO?pad)時,一般是將原本運作于3.3V的高壓晶體管元件操作在2.5V電壓下(DDRI),或是將原本運作于3.3V的高壓晶體管元件操作在1.8V下(DDRII)。請參考圖1,圖1為3.3V晶體管的電流一電壓特性曲線圖。根據圖1可以得知,當3.3V的晶體管操作在DDRII所規范的1.8V時,其操作電流I2均會比原本操作在正常3.3V時的操作電流I1小,然而輸入/輸出連接點為了要在DDRII所規定的時間內充電至合理的電壓電平,則于1.8V下的驅動電流可能會不夠大,因此在這情況下,為了提高驅動電流量則必需要增加晶體管的寬度大小(width)以及輸入/輸出連接點的面積,如此就會增加電路面積而造成成本增加。同樣地,當3.3V的晶體管操作在DDRIII所規范的1.5V時,其操作電流I3會比原本操作在正常3.3V時的操作電流I3小,且會比上述應用于DDRII的情況下更小,因此所需的電路面積就會更大了。
發明內容
因此,本發明的主要目的的一在于提供一種應用于存儲器(例如DDR存儲器)存取的輸出信號驅動電路及其方法,其可節省輸入/輸出連接點面積以解決公知技術的問題。
依據本發明的一實施例,其公開一種輸出信號驅動電路。該輸出信號驅動電路包含有:一第一開關,一第二開關,一第三開關,以及一第四開關。該第一開關的一端耦接于一第一電源電壓,其另一端耦接于一第一端點,其中該第一開關導通與否依據一第一控制信號以選擇性地將該第一電源電壓與該第一端點導通。該第二開關的一端耦接于一第二電源電壓,其另一端耦接于一第二端點,其中該第二開關導通與否依據一第二控制信號以選擇性地將該第二電源電壓與該第二端點導通。該第三開關的一端耦接于該第一端點,其另一端耦接于一輸出端,其中該第三開關導通與否依據一第三參考電壓以選擇性地將該第一端點與該輸出端導通。該第四開關的一端耦接于該輸出端,其另一端耦接于該第二端點,其中該第四開關導通與否依據一第四參考電壓以選擇性地將該輸出端與該第二端點導通;其中該第三參考電壓以及該第四參考電壓的電壓電平介于該第一電源電壓的電壓電平與該第二電源電壓的電壓電平之間。
依據本發明的一實施例,其公開一種輸出信號的驅動方法。該驅動方法包含有:依據一第一控制信號以選擇性地將一第一電源電壓與一第一端點導通;依據一第二控制信號以選擇性地將一第二電源電壓與一第二端點導通;依據一第三參考電壓以選擇性地將該第一端點與一輸出端導通;以及依據一第四參考電壓以選擇性地將該輸出端與該第二端點導通;其中該第三、第四參考電壓的電壓電平介于該第一電源電壓的電壓電平與該第二電源電壓的電壓電平之間。
附圖說明
圖1為公知3.3V晶體管的電流-電壓特性曲線圖。
圖2為依據本發明輸出信號驅動電路的一實施例的示意圖。
圖3為第二圖所示的P型場效應晶體管的電流-電壓特性曲線圖。
圖4為第二圖所示的N型場效應晶體管的電流-電壓特性曲線圖。
圖5為本發明輸出信號的驅動方法的流程圖。
主要元件符號說明
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