[發明專利]以兩階段蝕刻方式在半導體基材上形成熔絲窗的方法

有效

• 申請號: 200610171772.7
• 申請日: 2006-12-29
• 公開（公告）號: CN101211779A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 白世杰;馬宏
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/66;H01L21/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種以兩階段蝕刻方式在半導體基材上形成熔絲窗的方法，包括：

提供半導體基材，其上具有熔絲線，形成在介電層堆疊結構中，該介電層堆疊結構包括有目標層，覆蓋在該熔絲線上，至少一中間介電材料層，覆蓋在該目標層上，以及保護層覆蓋在該中間介電材料層上，該保護層上形成具有開口的光致抗蝕劑層，該開口位于該熔絲線的正上方，并定義出該熔絲窗的形狀；

進行第一干蝕刻工藝，經由該開口以非選擇性的方式蝕刻該保護層以及該中間介電材料層，暴露出該目標層；

進行第一厚度量測步驟，量測在完成該第一干蝕刻工藝之后的該目標層的厚度；

進行第二干蝕刻工藝，根據在該第一厚度量測步驟所量測到的該目標層的厚度決定出蝕刻時間，繼續蝕刻掉一部分的該目標層厚度，以達到預定的厚度，完成該熔絲窗；以及

進行第二厚度量測步驟，量測在完成該第二干蝕刻工藝之后的該目標層的剩余厚度。

2.如權利要求1所述的以兩階段蝕刻方式在半導體基材上形成熔絲窗的方法，其中該保護層、該中間介電材料層以及該目標層分別由不同的介電材料所構成。

3.如權利要求1所述的以兩階段蝕刻方式在半導體基材上形成熔絲窗的方法，其中該保護層包括氧化硅。

4.如權利要求1所述的以兩階段蝕刻方式在半導體基材上形成熔絲窗的方法，其中該中間介電材料層包括氮化硅。

5.如權利要求1所述的以兩階段蝕刻方式在半導體基材上形成熔絲窗的方法，其中該目標層包括FSG。

6.如權利要求1所述的以兩階段蝕刻方式在半導體基材上形成熔絲窗的方法，其中該目標層與該熔絲線之間另提供有蓋層。

7.如權利要求6所述的以兩階段蝕刻方式在半導體基材上形成熔絲窗的方法，其中該蓋層包括氮化硅以及碳化硅。

8.如權利要求1所述的以兩階段蝕刻方式在半導體基材上形成熔絲窗的方法，其中該第一次的厚度量測步驟所量測到的厚度資訊是預先提供給先進自動控制單元，再由該先進自動控制單元利用此反饋的厚度資訊，計算出該第二干蝕刻工藝所需要的精確蝕刻時間。

9.一種以兩階段蝕刻方式在半導體基材上形成熔絲窗的方法，包括：

提供半導體基材，其上具有熔絲線，形成在介電層堆疊結構中，該介電層堆疊結構包括有目標層，覆蓋在該熔絲線上，第一中間介電材料層，覆蓋在該目標層上，第二中間介電材料層，覆蓋在該第一中間介電材料層上，以及保護層覆蓋在該第二中間介電材料層上，該保護層上形成具有開口的光致抗蝕劑層，該開口位于該熔絲線的正上方，并定義出該熔絲窗的形狀；

進行第一干蝕刻工藝，經由該開口以非選擇性的方式蝕刻該保護層以及該第二中間介電材料層，以于該保護層以及該第二中間介電材料層中形成過渡熔絲窗；

進行第一厚度量測步驟，量測在完成該第一干蝕刻工藝之后所剩的該第二中間介電材料層、該第一中間介電材料層及該目標層的加總厚度；

進行第二干蝕刻工藝，根據在該第一厚度量測步驟所量測到的該加總厚度決定出蝕刻時間，繼續經由該過渡熔絲窗蝕刻掉該第二中間介電材料層、該第一中間介電材料層以及一部分的該目標層厚度，以達到預定的厚度，完成該熔絲窗；以及

進行第二厚度量測步驟，量測在完成該第二干蝕刻工藝之后的該目標層的剩余厚度。

10.如權利要求9所述的以兩階段蝕刻方式在半導體基材上形成熔絲窗的方法，其中該保護層包括氧化硅。

11.如權利要求9所述的以兩階段蝕刻方式在半導體基材上形成熔絲窗的方法，其中該第一中間介電材料層包括氮化硅。

12.如權利要求9所述的以兩階段蝕刻方式在半導體基材上形成熔絲窗的方法，其中該第一中間介電材料層與該第二中間介電材料層是由不同的介電材料所構成。

13.如權利要求9所述的以兩階段蝕刻方式在半導體基材上形成熔絲窗的方法，其中該目標層包括FSG。

14.如權利要求9所述的以兩階段蝕刻方式在半導體基材上形成熔絲窗的方法，其中該目標層與該熔絲線之間另提供有蓋層。

15.如權利要求14所述的以兩階段蝕刻方式在半導體基材上形成熔絲窗的方法，其中該蓋層包括氮化硅以及碳化硅。