[發明專利]圖像傳感器及其制作方法

有效

• 申請號: 200610171714.4
• 申請日: 2006-12-19
• 公開（公告）號: CN101207141A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發明（設計）人: 三井田高
• 申請（專利權）人: 力晶半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/822
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種圖像傳感器，其包含：

半導體襯底；

像素矩陣，其包含有多個像素定義于該半導體襯底上，且各該像素包含有像素電極；

光導層以及透明導電層依序設于該像素電極上；以及

遮蔽電極設于任二相鄰的該等像素電極之間，其中該遮蔽電極如同網狀圍繞各該像素電極。

2.如權利要求1所述的圖像傳感器，其中該遮蔽電極設置于介電層之上并與該等像素電極設于同一平面上。

3.如權利要求1所述的圖像傳感器，其中該遮蔽電極以及該等像素電極包含有相同的材料。

4.如權利要求3所述的圖像傳感器，其中該遮蔽電極以及該像素電極包含氮化鈦。

5.如權利要求1所述的圖像傳感器，其另包含絕緣層覆蓋于該遮蔽電極以及各該像素電極的邊緣部分上，而未被該絕緣層覆蓋的各該像素電極直接設于該光導層的下方。

6.如權利要求5所述的圖像傳感器，其中該絕緣層的厚度為約200埃(angstroms)。

7.如權利要求5所述的圖像傳感器，其中該絕緣層包含氧化硅(siliconoxide，SiO₂)。

8.如權利要求1所述的圖像傳感器，其中該遮蔽電極與相鄰的二該等像素電極之間距離相等。

9.如權利要求1所述的圖像傳感器，其中該遮蔽電極的電位藉由設于該像素矩陣外圍的電位供應電路所提供。

10.如權利要求1所述的圖像傳感器，其中該光導層包含有：

n型層(n-layer)設于該像素電極以及該遮蔽電極之上；

本征層(intrinsic?layer，i-layer)設于該n型層之上；以及

p型層(p-type?layer)設于該本征層之上。

11.如權利要求10所述的圖像傳感器，其中該n型層以及該p型層包含氫化非晶質碳化硅(hydrogenated?amorphous?silicon?carbide，α-SiC:H)材料。

12.如權利要求10所述的圖像傳感器，其中該本征層包含有氫化非晶硅(hydrogenated?amorphous?silicon，α-Si:H)材料。

13.如權利要求10所述的圖像傳感器，其中該本征層的厚度為至少約5000埃。

14.如權利要求13所述的圖像傳感器，其中該本征層的厚度為約5000至10000埃。

15.一種制作圖像傳感器的方法，該方法包含有：

提供襯底，其表面包含有多個像素電路，各該像素電路對應于像素；

于該襯底上形成導電層；

進行第一光刻暨蝕刻工藝以移除部分該導電層，并形成多個像素電極以及遮蔽電極位于任二相鄰的該等像素電極之間，各該像素電極設于該像素內并電連接于對應的該像素電路；

于該像素電極以及該遮蔽電極之上形成光導層；以及

形成透明導電層覆蓋于該光導層上。

16.如權利要求15所述的方法，其中該方法在形成該光導層之前，另包含有下列步驟：

形成絕緣層覆蓋于該等像素電極以及該遮蔽電極之上；以及

進行第二光刻暨蝕刻工藝，以移除部分該絕緣層并且使得該等像素電極的邊緣部分以及該遮蔽電極仍被該絕緣層所覆蓋。

17.如權利要求16所述的方法，其中該絕緣層的厚度為約200埃。

18.如權利要求16項的方法，其中該絕緣層包含氧化硅材料。

19.如權利要求15所述的方法，其中該遮蔽電極以及該像素電極包含有氮化鈦。

20.如權利要求15所述的方法，其中該遮蔽電極與相鄰的二該像素電極之間距離相等。

21.如權利要求15所述的方法，其中該光導層包含有：

n型層設于該像素電極以及該遮蔽電極之上；

本征層設于該n型層之上；以及

p型層設于該本征層之上。

22.如權利要求21所述的方法，其中該p型層以及該n型層包含有氫化非晶質碳化硅材料。