[發明專利]水平電場施加型薄膜晶體管基板及其制造方法

有效

• 申請號: 200610170514.7
• 申請日: 2006-12-21
• 公開（公告）號: CN100544005C
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發明（設計）人: 林柄昊;金寶嵐;金珍浩
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/28;H01L21/768;G02F1/1362;G02F1/1343
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;祁建國

1.一種薄膜晶體管基板，包括：

設置在基板上的柵線；

與柵線交叉以限定像素區域并且在二者之間具有柵絕緣膜的數據線；

與柵線和數據線連接的薄膜晶體管；

與薄膜晶體管連接的像素電極板；

設置用來覆蓋柵絕緣膜上的數據線、薄膜晶體管和像素電極板的保護膜；和

設置在設有薄膜晶體管陣列的陣列區域并以網格形狀設置在保護膜上的公共電極，以及

其中該公共電極包括：

包括與像素電極板交迭的狹縫圖案的狹縫部；

與數據線交迭的遮蔽部；和

從狹縫部和遮蔽部延伸以平行于柵線設置的連接部。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述保護膜包括有機材料。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述有機材料包括丙烯酸類化合物、聚四氟乙烯、苯并環丁烯、全氟聚合物和全氟環丁烷中的一種。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述公共電極與供給公共電壓的公共焊盤相連接，該公共焊盤包括：

設置在基板上的下公共焊盤電極；和

通過穿過柵絕緣膜和保護膜的接觸孔與下公共焊盤電極連接并從公共電極延伸的上公共焊盤電極。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述公共電極與供給公共電壓的公共焊盤相連，該公共焊盤包括：

設置在柵絕緣膜上的下公共焊盤電極；和

通過穿過保護膜的接觸孔與下公共焊盤電極連接并從公共電極延伸的上公共焊盤電極。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述數據線包括低電阻金屬。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述低電阻金屬包括銅。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述薄膜晶體管包括：

與柵線連接的柵極；

與數據線連接的源極；和

與源極相對的漏極，

其中像素電極板直接設置在漏極上。

9.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述公共電極基本上完全設置在設置有薄膜晶體管陣列的陣列區域處。

10.一種制造薄膜晶體管基板的方法，包括：

在基板上形成包括柵線和與柵線連接的柵極的第一導電圖案組；

形成覆蓋第一導電圖案組的柵絕緣膜；

形成第二導電圖案組和與第二導電圖案組交迭的半導體圖案，該第二導電圖案組包括與柵線交叉以限定像素區域的數據線、與數據線連接的源極和與源極相對的漏極；

在像素區域形成直接交迭在漏極上的像素電極板；

形成覆蓋柵絕緣膜上的第二導電圖案組、半導體圖案和像素電極板的保護膜；和

在保護膜上形成網格形狀的公共電極，和

其中所述公共電極包括：

包括與像素電極板交迭的狹縫圖案的狹縫部；

與數據線交迭的遮蔽部；和

從狹縫部和遮蔽部延伸以平行于柵線設置的連接部。

11.根據權利要求10所述的制造薄膜晶體管基板的方法，其特征在于，所述保護膜包括有機材料。

12.根據權利要求11所述的制造薄膜晶體管基板的方法，其特征在于，所述有機材料包括丙烯酸類化合物、聚四氟乙烯、苯并環丁烯、全氟聚合物和全氟環丁烷中的一種。

13.根據權利要求10所述的制造薄膜晶體管基板的方法，其特征在于，所述形成第一導電圖案組包括在基板上同時形成下公共焊盤電極和第一導電圖案組。

14.根據權利要求13所述的制造薄膜晶體管基板的方法，其特征在于，所述形成保護膜包括形成穿過柵絕緣膜和保護膜以暴露下公共焊盤電極的接觸孔。

15.根據權利要求13所述的制造薄膜晶體管基板的方法，其特征在于，所述形成公共電極包括同時形成從公共電極延伸的覆蓋接觸孔的上公共焊盤電極和公共電極。