[發明專利]晶片制造方法

有效

• 申請號: 200610170496.2
• 申請日: 2006-12-29
• 公開（公告）號: CN101183651A
• 公開（公告）日: 2008-05-21
• 發明（設計）人: 蔡文浚;黃寶泰;張佑臣;黃凌豪
• 申請（專利權）人: 渠成科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/66;H01L21/00
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種晶片測試以及封裝方法，其特征在于至少包括以下步驟：

附著一基底層于具有多數個晶片的一晶圓上，其中該基底層保護該晶圓；

暴露該晶圓上的晶片的多數個焊接墊；

形成多數個凸塊于該晶圓的晶片上，其中凸塊提供輸入/輸出管道于該晶圓上的晶片；

測試該晶圓上至少一晶片，是藉由以至少一插座接觸晶片上的凸塊；

將該晶圓切割成為個別的晶片；以及

將這些晶片上封入一最終外層內。

2.根據權利要求1所述的測試以及封裝方法，其特征在于其中所述的基底層為硼磷硅玻璃層、硼硅玻璃層、磷硅玻璃層、硅氧層、硅氮氧層或硅氮層。

3.根據權利要求1所述的測試以及封裝方法，其特征在于其中所執行的測試是基頻/射頻測試。

4.根據權利要求1所述的測試以及封裝方法，其特征在于其中所執行的測試是功能性測試。

5.根據權利要求1所述的測試以及封裝方法，其特征在于其中所執行的測試是最終測試。

6.根據權利要求1所述的測試以及封裝方法，其特征在于其中所執行的測試是次系統階層測試，亦即當晶片連接至一外接次系統時，驗證這些晶片以及該次系統的效能。

7.根據權利要求1所述的測試以及封裝方法，其特征在于其中所執行的測試是主系統階層測試，亦即當晶片連接至一外接主系統時，驗證次級系統以及該主系統的效能。

8.一種晶片測試以及封裝方法，其特征在于至少包括以下步驟：

附著一基底層于具有多數個晶片的一晶圓上，其中該基底層保護該晶圓；

連接多數個晶圓上的多數個晶片的焊接墊于相對應的多數個基底層的焊接墊；

形成多數個凸塊于多數個基底層反面的焊接墊；

測試晶圓上至少一晶片，是藉由以至少一插座接觸該基底層反面該些焊接墊上的凸塊；

將該晶圓切割成個別的晶片；以及

將這些晶片上封入一最終外層內。

9.根據權利要求8所述的測試以及封裝方法，其特征在于其中所述的基底層是一陶瓷層。

10.根據權利要求9所述的測試以及封裝方法，其特征在于其中所述的陶瓷層提供晶圓上晶片的電路更多電路走線。

11.根據權利要求8所述的測試以及封裝方法，其特征在于其中所執行的測試是基頻/射頻測試。

12.根據權利要求8所述的測試以及封裝方法，其特征在于其中所執行的測試是功能性測試。

13.根據權利要求8所述的測試以及封裝方法，其特征在于其中所執行的測試是最終測試。

14.根據權利要求8所述的測試以及封裝方法，其特征在于其中所執行的測試是次系統階層測試，亦即當晶片連接至一外接次系統時，驗證晶片以及該次系統的效能。

15.根據權利要求8所述的測試以及封裝方法，其特征在于其中所執行的測試是主系統階層測試，亦即當晶片連接至一外接主系統時，驗證次級系統以及該主系統的效能。

16.一種晶片制造方法，其特征在于至少包括以下步驟：

一設計階段，其中設計一晶片；

一模擬階段，其中以模擬器模擬該晶片；

一晶圓廠階段，其中將該晶片設計送廠而制造于一晶圓上；

一測試/封裝階段，其中于晶圓階層進行封裝，并以接觸測試接頭與凸塊，所形成的凸塊連接于該晶片的多數個焊接墊；

一切割階段，其中切割測試與封裝后的該晶圓成為個別的晶片；以及

一最終外層階段，其中將這些晶片上封入一最終外層內。