[發(fā)明專利]半導(dǎo)體硅片刻蝕工藝的控制方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610169566.2
• 申請日: 2006-12-22
• 公開（公告）號: CN101207004A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳卓
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/66;H01L21/3065;C23F4/00;G05B11/01;G05B19/04
• 代理公司: 北京凱特來知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 趙鎮(zhèn)勇

1.一種半導(dǎo)體硅片刻蝕工藝的反饋控制方法，所述硅片刻蝕工藝在刻蝕腔室中進行，所述的刻蝕腔室上設(shè)有光學(xué)散射光譜儀OES，用于對刻蝕工藝進行終點控制，其特征在于，包括步驟：

A、通過所述的OES檢測硅片刻蝕終點時，刻蝕腔室內(nèi)等離子體的光譜信息。

B、對檢測到的光譜信息進行處理，并根據(jù)處理的結(jié)果，確定刻蝕工藝參數(shù)的調(diào)整值，并對工藝參數(shù)進行調(diào)整。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體硅片刻蝕工藝的反饋控制方法，其特征在于，所述的步驟A中，等離子體的光譜信息包括光譜的強度信息和/或光譜強度的變化信息。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體硅片刻蝕工藝的反饋控制方法，其特征在于，所述的光譜強度的變化信息包括光譜線斜率，即光譜強度隨時間變化的曲線的斜率。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體硅片刻蝕工藝的反饋控制方法，其特征在于，所述的步驟B中，

首先確定光譜線斜率對應(yīng)的硅片刻蝕的結(jié)果；

然后根據(jù)硅片刻蝕工藝對刻蝕結(jié)果的要求，確定光譜線斜率的閥值，當光譜線斜率超過閥值時，則對工藝參數(shù)進行調(diào)整。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體硅片刻蝕工藝的反饋控制方法，其特征在于，所述的硅片刻蝕的結(jié)果包括硅片刻蝕速率的均勻性。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體硅片刻蝕工藝的反饋控制方法，其特征在于，所述的步驟B中，

首先確定光譜的強度對應(yīng)的硅片刻蝕的結(jié)果；

然后根據(jù)硅片刻蝕工藝對刻蝕結(jié)果的要求，確定光譜的強度的閥值，當光譜的強度超過閥值時，則對工藝參數(shù)進行調(diào)整。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體硅片刻蝕工藝的反饋控制方法，其特征在于，所述的硅片刻蝕的結(jié)果包括硅片刻蝕速率。

8.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的半導(dǎo)體硅片刻蝕工藝的反饋控制方法，其特征在于，所述的工藝參數(shù)包括至少一個參數(shù)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體硅片刻蝕工藝的反饋控制方法，其特征在于，包括對工藝參數(shù)的線性反饋控制和/或非線性反饋控制。