[發明專利]排氣裝置及包含該排氣裝置的反應腔室有效
| 申請號： | 200610169563.9 | 申請日： | 2006-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN101207001A | 公開（公告）日： | 2008-06-25 |
| 發明（設計）人： | 趙夢欣 | 申請（專利權）人： | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/67;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京凱特來知識產權代理有限公司 | 代理人： | 趙鎮勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 排氣裝置 包含 反應 | ||
1.一種排氣裝置，為平面環狀結構，其上開有多個上下相通的排氣孔，其特征在于，所述的排氣裝置一側的多個排氣孔的總導通面積大于排氣裝置另一側的多個排氣孔的總導通面積。
2.根據權利要求1所述的排氣裝置，其特征在于，所述的排氣裝置自一側到另一側，排氣孔的分布密度逐漸減??；和/或，排氣孔的橫截面面積逐漸減小。
3.根據權利要求1或2所述的排氣裝置，其特征在于，所述的排氣孔的橫截面的形狀為圓形或橢圓形或長條形或多邊形。
4.根據權利要求1或2所述的排氣裝置，其特征在于，所述的排氣孔的縱向截面的形狀為矩形或梯形或漏斗形。
5.根據權利要求1或2所述的排氣裝置，其特征在于，所述的排氣裝置的上表面上設有絕緣涂層。
6.根據權利要求5所述的排氣裝置，其特征在于，所述的絕緣涂層的厚度為50-350μm。
7.根據權利要求5所述的排氣裝置，其特征在于，所述的絕緣涂層是三氧化二釔Y2O3或者三氧化二鋁Al2O3。
8.根據權利要求1或2所述的排氣裝置，其特征在于，所述的排氣裝置的表面采用陽極氧化處理。
9.一種反應腔室，其特征在于，反應腔室的下部設有上述排氣裝置，排氣裝置的下方靠近排氣孔的總導通面積較小的一側設有抽氣腔室。
10.根據權利要求9所述的反應腔室，其特征在于，所述的排氣裝置設有絕緣涂層的一面靠近反應腔室。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
