[發明專利]液晶顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200610169491.8
• 申請日: 2006-12-15
• 公開（公告）號: CN101067701A
• 公開（公告）日: 2007-11-07
• 發明（設計）人: 梁埈榮;吳載映;金淑樸
• 申請（專利權）人: LG.菲利浦LCD株式會社
• 主分類號: G02F1/136
• 分類號: G02F1/136;H01L21/027;G03F7/20
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 李輝

1、一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置包括：

位于基板上的半導體層，該半導體層包括溝道部分和位于所述溝道部分的兩側的歐姆接觸部分；

覆蓋所述半導體層的柵絕緣層；

位于所述柵絕緣層上并與所述溝道部分大致對應的柵極；

與所述半導體層接觸的源極和漏極；以及

與所述漏極接觸的像素電極；

其中，所述半導體層的邊沿部分具有至少兩個臺階，所述柵絕緣層的靠近所述邊沿部分的臺階部分的厚度與所述柵絕緣層的其他部分的厚度大致相同，并且所述柵極的靠近所述邊沿部分的臺階部分的厚度與所述柵極的其他部分的厚度大致相同。

2、根據權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述半導體層包括多晶硅。

3、根據權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述半導體層還包括大致位于所述溝道部分與所述歐姆接觸部分之間的輕摻雜漏極部分。

4、一種液晶顯示裝置的制造方法，該制造方法包括以下步驟：

形成位于基板上的半導體層，該半導體層包括溝道部分和位于所述溝道部分的兩側的歐姆接觸部分；

形成覆蓋所述半導體層的柵絕緣層；

形成位于所述柵絕緣層上并與所述溝道部分大致對應的柵極；

形成與所述半導體層接觸的源極和漏極；以及

形成與所述漏極接觸的像素電極；

其中，所述半導體層的邊沿部分具有至少兩個臺階，所述柵絕緣層的靠近所述邊沿部分的臺階部分的厚度與所述柵絕緣層的其他部分的厚度大致相同，并且所述柵極的靠近所述邊沿部分的臺階部分的厚度與所述柵極的其他部分的厚度大致相同；

其中，形成所述至少兩個臺階的步驟包括以下步驟：

形成多晶硅層；

在所述多晶硅層上形成光刻膠圖案；

使用所述光刻膠圖案并利用干法刻蝕氣體對所述多晶硅層進行第一次干法刻蝕，所述干法刻蝕氣體包括溴化氫(HBr)氣體、氯氣(Cl₂)、六氟化硫(SF₆)氣體以及溴氣(Br₂)中的至少兩種；

將所述干法刻蝕氣體替換為氧氣(O₂)，并利用該氧氣對所述光刻膠圖案進行灰化；以及

將所述氧氣替換為第二干法刻蝕氣體，使用經灰化的光刻膠圖案并利用該第二干法刻蝕氣體對經第一次干法刻蝕的多晶硅層進行第二次干法刻蝕，該第二干法刻蝕氣體包括溴化氫(HBr)氣體、氯氣(Cl₂)、六氟化硫(SF₆)氣體以及溴氣(Br₂)中的至少兩種；

其中，所述用于第一次干法刻蝕和第二次干法刻蝕的干法刻蝕氣體不與所述光刻膠圖案發生反應，并將第一次干法刻蝕處理、灰化處理以及第二次干法刻蝕處理重復至少一次。

5、根據權利要求4所述的制造方法，其中，形成所述歐姆接觸部分的步驟包括以下步驟：在形成了所述至少兩個臺階之后，使用所述柵極作為摻雜掩模，用n+或p+離子來摻雜所述半導體層。6、根據權利要求4所述的制造方法，其中，形成所述半導體層的步驟包括以下步驟：形成大致位于所述溝道部分與所述歐姆接觸部分之間的輕摻雜漏極部分。