[發(fā)明專利]磁盤控制設(shè)備、磁盤設(shè)備和校正讀取錯誤的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610169489.0
• 申請日: 2006-12-15
• 公開（公告）號: CN101097756A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 竹村紀昭;原一郎;水戶雅之
• 申請（專利權(quán)）人: 富士通株式會社
• 主分類號: G11B20/10
• 分類號: G11B20/10;G11B5/09;G06F11/00
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 李輝;呂俊剛

1、一種磁盤控制設(shè)備，該磁盤控制設(shè)備控制對磁盤驅(qū)動器的讀寫訪問，并且對在讀取訪問過程中發(fā)生了可校正讀取錯誤的位置進行恢復(fù)，該磁盤控制設(shè)備包括：

錯誤區(qū)域預(yù)測單元，當由于某種原因而發(fā)生可校正讀取錯誤時，該錯誤區(qū)域預(yù)測單元預(yù)測所述磁盤驅(qū)動器上的可能由于該原因而發(fā)生錯誤的區(qū)域，并指定該區(qū)域作為預(yù)測區(qū)域；以及

校正單元，其通過重寫所述預(yù)測區(qū)域來校正所述預(yù)測區(qū)域。

2、根據(jù)權(quán)利要求1的磁盤控制設(shè)備，其中，所述錯誤區(qū)域預(yù)測單元指定包括其中發(fā)生了可校正讀取錯誤的扇區(qū)的整個磁道作為所述預(yù)測區(qū)域。

3、根據(jù)權(quán)利要求1的磁盤控制設(shè)備，該磁盤控制設(shè)備還包括：存儲單元，該存儲單元中存儲有與在對所述磁盤驅(qū)動器的讀寫訪問過程中發(fā)生的錯誤有關(guān)的信息，其中

當所述信息表示在與包括其中發(fā)生了可校正讀取錯誤的扇區(qū)的第一磁道相鄰的第二磁道中發(fā)生讀取錯誤時，所述錯誤區(qū)域預(yù)測單元指定整個第一和第二磁道作為所述預(yù)測區(qū)域。

4、根據(jù)權(quán)利要求3的磁盤控制設(shè)備，其中，當所述信息表示在包括所述扇區(qū)的區(qū)段中發(fā)生了讀取錯誤時，所述錯誤區(qū)域預(yù)測單元指定該整個區(qū)段作為所述預(yù)測區(qū)域。

5、根據(jù)權(quán)利要求3的磁盤控制設(shè)備，其中，當所述信息表示在所述扇區(qū)中發(fā)生了由于浮力變化而導(dǎo)致的錯誤時，所述錯誤區(qū)域預(yù)測單元指定整個第一和第二磁道作為所述預(yù)測區(qū)域。

6、根據(jù)權(quán)利要求1的磁盤控制設(shè)備，該磁盤控制設(shè)備還包括：存儲單元，該存儲單元中存儲有與針對各個區(qū)段對所述磁盤驅(qū)動器進行寫入的次數(shù)有關(guān)的信息，其中

當在相對于其中發(fā)生了可校正讀取錯誤的扇區(qū)的±N個磁道范圍中發(fā)生多個讀取錯誤，并且所述信息表示包括該扇區(qū)的區(qū)段被寫入的次數(shù)超過預(yù)定閾值時，所述錯誤區(qū)域預(yù)測單元指定該范圍作為所述預(yù)測區(qū)域，其中N是自然數(shù)。

7、根據(jù)權(quán)利要求1的磁盤控制設(shè)備，其中，當在通過沿徑向劃分所述磁盤驅(qū)動器的記錄表面而獲得的區(qū)域中發(fā)生多個讀取錯誤，使得該區(qū)域包括其中發(fā)生了可校正讀取錯誤的扇區(qū)時，所述錯誤區(qū)域預(yù)測單元指定該區(qū)域作為所述預(yù)測區(qū)域。

8、根據(jù)權(quán)利要求1的磁盤控制設(shè)備，其中，所述校正單元通過替換所述預(yù)測區(qū)域來校正所述預(yù)測區(qū)域。

9、根據(jù)權(quán)利要求8的磁盤控制設(shè)備，其中，當在其中發(fā)生了可校正錯誤的扇區(qū)周圍的預(yù)定范圍中發(fā)生多個讀取錯誤時，所述錯誤區(qū)域預(yù)測單元指定該范圍作為所述預(yù)測區(qū)域。

10、一種磁盤設(shè)備，該磁盤設(shè)備對在對磁盤驅(qū)動器的讀取訪問過程中發(fā)生了可校正讀取錯誤的位置進行恢復(fù)，該磁盤設(shè)備包括：

錯誤區(qū)域預(yù)測單元，當由于某種原因而發(fā)生可校正讀取錯誤時，該錯誤區(qū)域預(yù)測單元預(yù)測所述磁盤驅(qū)動器上的可能由于該原因而發(fā)生錯誤的區(qū)域，并指定該區(qū)域作為預(yù)測區(qū)域；以及

校正單元，其通過重寫所述預(yù)測區(qū)域來校正所述預(yù)測區(qū)域。

11、根據(jù)權(quán)利要求10的磁盤設(shè)備，其中，所述錯誤區(qū)域預(yù)測單元指定包括其中發(fā)生了可校正讀取錯誤的扇區(qū)的整個磁道作為所述預(yù)測區(qū)域。

12、根據(jù)權(quán)利要求10的磁盤設(shè)備，該磁盤設(shè)備還包括：存儲單元，該存儲單元中存儲有與在對所述磁盤驅(qū)動器的讀寫訪問過程中發(fā)生的錯誤有關(guān)的信息，其中

當所述信息表示在與包括其中發(fā)生了可校正讀取錯誤的扇區(qū)的第一磁道相鄰的第二磁道中發(fā)生了讀取錯誤時，所述錯誤區(qū)域預(yù)測單元指定整個第一和第二磁道作為所述預(yù)測區(qū)域。

13、根據(jù)權(quán)利要求12的磁盤設(shè)備，其中，當所述信息表示在包括所述扇區(qū)的區(qū)段中發(fā)生了讀取錯誤時，所述錯誤區(qū)域預(yù)測單元指定該整個區(qū)段作為所述預(yù)測區(qū)域。

14、根據(jù)權(quán)利要求12的磁盤設(shè)備，其中，當所述信息表示在所述扇區(qū)中發(fā)生了由于浮力變化而導(dǎo)致的錯誤時，所述錯誤區(qū)域預(yù)測單元指定整個第一和第二磁道作為所述預(yù)測區(qū)域。

15、根據(jù)權(quán)利要求10的磁盤設(shè)備，該磁盤設(shè)備還包括：存儲單元，該存儲單元中存儲有與針對各個區(qū)段對所述磁盤驅(qū)動器進行寫入的次數(shù)有關(guān)的信息，其中

當在相對于其中發(fā)生了可校正讀取錯誤的扇區(qū)的±N個磁道范圍中發(fā)生多個讀取錯誤，并且所述信息表示包括該扇區(qū)的區(qū)段被寫入的次數(shù)超過預(yù)定閾值時，所述錯誤區(qū)域預(yù)測單元指定該范圍作為所述預(yù)測區(qū)域，其中N是自然數(shù)。