[發明專利]薄膜圖案制造裝置及方法有效
| 申請號: | 200610168863.5 | 申請日: | 2006-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN101093349A | 公開(公告)日: | 2007-12-26 |
| 發明(設計)人: | 金珍郁 | 申請(專利權)人: | LG.菲利浦LCD株式會社 |
| 主分類號: | G03F7/00 | 分類號: | G03F7/00;G03F7/004;H01L21/00;H01L21/027;H01L21/28 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 | 代理人: | 李輝;呂俊剛 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜 圖案 制造 裝置 方法 | ||
1、一種薄膜圖案制造裝置,該薄膜圖案制造裝置包括:
輥形的印輥裝置,其上纏繞有覆層;
噴射裝置,其位于所述印輥裝置周圍,用于向所述覆層噴射抗蝕劑溶液;以及
具有雕刻形狀的印板,其上形成有具有期望的薄膜形狀的槽以及除該槽以外的突出部分,
并且
其中所述抗蝕劑溶液包含至少一種表面活性劑,所述表面活性劑包含環氧乙烷氟化聚合物材料。
2、根據權利要求1所述的薄膜圖案制造裝置,其中,所述環氧乙烷氟化聚合物的通式為CF3(CF2)m(CH2CH2O)n,其中m為大約1至10,n為大約8至50。
3、根據權利要求1所述的薄膜圖案制造裝置,其中,所述環氧乙烷氟化聚合物為CF3(CF2)4(CH2CH2O)10或CF3(CF2)5(CH2CH2O)14。
4、根據權利要求1所述的薄膜圖案制造裝置,其中,所述抗蝕劑溶液具有4%到20%的基礎聚合物、40%到60%的載體溶劑、20%到40%的印刷溶劑以及0.05%到1%的表面活性劑。
5、根據權利要求1所述的薄膜圖案制造裝置,其中,所述表面活性劑具有烴基和氟基的分子結構,并且烴基和氟基的分子隨機分布在所述抗蝕劑溶液內。
6、根據權利要求5所述的薄膜圖案制造裝置,其中,所述烴類分子是環氧乙烷(CH2CH2O)、環氧丙烷(CH2CH2CH2O)或胺(CH2N)中的至少任意一種。
7、根據權利要求5所述的薄膜圖案制造裝置,其中,所述抗蝕劑溶液與所述印板之間的粘附力強于所述抗蝕劑溶液與所述覆層之間的粘附力。
8、根據權利要求5所述的薄膜圖案制造裝置,其中,所述基礎聚合物是酚醛清漆、聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸甲酯中的任意一種。
9、根據權利要求4所述的薄膜圖案制造裝置,其中,所述載體溶劑為至少一種醇。
10、根據權利要求4所述的薄膜圖案制造裝置,其中,所述印刷溶劑為N-甲基吡咯烷酮、苯甲酸乙酯或三異丙苯中的至少任意一種。
11、一種薄膜圖案制造方法,該薄膜圖案制造方法包括以下步驟:
提供輥形的印輥裝置,該印輥裝置上纏繞有覆層;
利用包含表面活性劑的抗蝕劑溶液來涂覆所述覆層,所述表面活性劑包含環氧乙烷氟化聚合物;
提供具有雕刻形狀的印板,該印板上形成有槽以及除該槽以外的突出部分;以及
將所述抗蝕劑溶液僅轉印到所述印板的所述突出部分上,從而使與所述槽相對應的區域上的所述抗蝕劑溶液留在所述印輥裝置中。
12、根據權利要求11所述的薄膜圖案制造方法,其中,所述環氧乙烷氟化聚合物的通式為CF3(CF2)m(CH2CH2O)n,其中m為大約1至10,n為大約8至50。
13、根據權利要求11所述的薄膜圖案制造方法,其中,所述環氧乙烷氟化聚合物為CF3(CF2)4(CH2CH2O)10或CF3(CF2)5(CH2CH2O)14中的任意一種。
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