[發明專利]液晶顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 200610168757.7
• 申請日: 2006-12-18
• 公開（公告）號: CN101097369A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發明（設計）人: 金榮柱;李錫宇
• 申請（專利權）人: LG.菲利浦LCD株式會社
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/133;H01L21/82;H01L21/768;H01L27/02;H01L23/522
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司
• 代理人: 黃綸偉;遲軍

1、一種制造液晶顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟：

提供被分成像素單元和電路單元的第一基板；

在所述像素單元和所述電路單元中形成由多晶硅薄膜制成的多個有源圖案，并且在所述多個有源圖案上形成由導電材料制成的多個存儲電極，其中，通過單個掩模工藝形成所述多個有源圖案和所述多個存儲電極；

在所述第一基板上形成第一絕緣膜；

在所述像素單元和所述電路單元中形成多個柵極，并在所述像素單元中形成多條公共線；

在所述多個有源圖案的多個預定區中形成多個p+源區/漏區；

在所述第一基板上形成第一層間絕緣膜和第二層間絕緣膜；

通過部分地去除所述第一絕緣膜、所述第一層間絕緣膜以及所述第二層間絕緣膜來形成露出了所述多個有源圖案的所述多個源區和所述多個漏區的多個第一接觸孔和多個第二接觸孔；

在所述第一基板的整個表面上形成第一導電膜和第二導電膜；

在所述第一基板的多個第一區中形成具有第一厚度的多個第一光敏膜圖案，并在所述第一基板的多個第二區中形成具有第二厚度的多個第二光敏膜圖案；

通過使用所述多個第一光敏膜圖案和所述多個第二光敏膜圖案作為掩模來選擇性地去除所述第一導電膜和所述第二導電膜，在所述多個第一區中形成由所述第二導電膜制成的多個源極、多個漏極以及多條數據線，在所述多個第一區和所述多個第二區中形成由所述第一導電膜制成的多個像素電極，并在所述多個第二區中形成由所述第二導電膜制成的多個第二導電膜圖案；

通過去除所述多個第二光敏膜圖案并部分地去除所述多個第一光敏膜圖案來形成具有第三厚度的多個第三光敏膜圖案；

通過使用所述多個第三光敏膜圖案作為掩模來去除所述多個第二區的所述多個第二導電膜圖案以露出所述多個像素電極，

其中，所述多個源極和所述多個漏極通過所述多個第一接觸孔和所述多個第二接觸孔分別電連接到所述多個有源圖案的所述多個源區和所述多個漏區，所述多個像素電極連接到所述多個漏極；

其中，通過單個掩模工藝形成所述多個源極、所述多個漏極以及所述多個像素電極；

提供第二基板；

在所述第一基板和所述第二基板中的任何一個上形成液晶層；以及

將所述第一基板與所述第二基板接合起來。

2、根據權利要求1所述的方法，其中，所述多條公共線與置于下方的所述多個存儲電極相交疊，并在所述多條公共線與所述多個存儲電極之間具有所述第一絕緣膜，以形成多個第一存儲電容器。

3、根據權利要求1所述的方法，其中，所述多條公共線與置于上方的所述多個漏極的多個部分相交疊，并在所述多條公共線與所述多個漏極的所述多個部分之間具有第二絕緣膜，以形成多個第二存儲電容器。

4、根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一層間絕緣膜是由SiO₂膜制成的。

5、根據權利要求4所述的方法，該方法在形成了所述第一層間絕緣膜之后執行活化處理。

6、根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二層間絕緣膜是由SiNx膜制成的。

7、根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二層間絕緣膜至少是由包括SiNx膜的雙膜制成的。

8、根據權利要求6或7所述的方法，該方法在形成了所述第二層間絕緣膜之后執行氫化處理。

9、根據權利要求1所述的方法，其中，在所述多個源極、所述多個漏極以及所述多條數據線的下方形成由第一導電膜制成的并且其多個邊被構圖成形狀與所述多個源極、所述多個漏極以及所述多條數據線的形狀相同的多個源極圖案、多個漏極圖案以及多個數據線圖案。

10、根據權利要求1所述的方法，其中，通過灰化工藝將所述多個第一光敏膜圖案去除了與所述多個第二光敏膜圖案一樣的厚度，由此將所述多個第一光敏膜圖案構圖成具有所述第三厚度的所述多個第三光敏膜圖案。

11、根據權利要求1所述的方法，其中，所述多個第一區是其中形成有所述多個源極、所述多個漏極以及所述多條數據線的多個區。

12、根據權利要求1所述的方法，其中，所述多個第二區是其中形成有所述多個像素電極的多個區。