[發明專利]具有場效應源區/漏區的半導體器件有效
| 申請號： | 200610168629.2 | 申請日： | 2006-12-19 |
| 公開（公告）號： | CN1988178A | 公開（公告）日： | 2007-06-27 |
| 發明（設計）人： | 樸起臺;崔正達;魯旭鎮 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 林宇清;謝麗娜 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 場效應 半導體器件 | ||
【說明書】：
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