[發明專利]有機電致發光顯示器件及其驅動方法

有效

• 申請號: 200610168207.5
• 申請日: 2006-12-15
• 公開（公告）號: CN101097681A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發明（設計）人: 金鎮亨;金仁煥;卞勝贊;柳相鎬
• 申請（專利權）人: LG.菲利浦LCD株式會社
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32;G09G3/30;G09G3/20;H05B33/18;H05B33/14;H05B37/02;H01L27/32;H01L51/50;G09F9/33
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;祁建國

本申請要求享有2006年6月27日提交的韓國專利申請No.2006-0057983的優先權，在此引入其全部內容作為參考。

技術領域

本發明涉及一種有機電致發光顯示器件，更具體地涉及一種顯示高質量圖像的有機電致發光顯示器件及其驅動方法。

背景技術

液晶顯示(LCD)器件由于包括重量輕、薄以及功耗低在內的很多優點，得到廣泛的應用。然而，由于LCD器件是非自發光的，所以LCD器件需要諸如背光單元的額外光源。

另一方面，有機電致發光顯示器件通過將來自陰極的電子和來自陽極的空穴注入發射層，從而空穴與電子復合以產生激子，并激子從激發態躍遷至基態來發射光。有機電致發光顯示器件由于其自發光的特性所以不需要額外的光源，所以與液晶顯示(LCD)器件相比，有機電致發光顯示器件外形小并且重量輕。有機電致發光顯示器件還具有功耗低，亮度高以及響應時間快的優點。并且，有機電致發光顯示器件由于其簡單的制造工序可減少制造成本。

圖1是根據相關技術的有機電致發光顯示(OLED)器件的像素的等效電路圖，并且圖1示出了雙薄膜晶體管結構的像素。

如圖1所示，掃描線S和數據線D限定出像素區域。在像素區域中形成有開關薄膜晶體管(TFT)N1、電容C、驅動薄膜晶體管(TFT)N2以及有機發光二極管OLED。開關TFT?N1和驅動TFT?N2為NMOS(n溝道金屬氧化物半導體)晶體管并包括非晶硅(a-Si:H)。

開關TFT?N1的柵極與掃描線S相連，并且開關TFT?N1的源極與數據線D相連。電容C的一個電極與開關TFT?N1的漏極相連，并且電容C的另一電極與地GND相連。驅動TFT?N2的柵極與開關TFT?N1的漏極以及電容C的所述的一個電極相連，并且驅動TFT?N2的源極與地GND相連，驅動TFT?N2的漏極與有機發光二極管OLED的陰極相連。有機發光二極管OLED的陽極與提供驅動電壓的電源線VDD相連。

具有上述結構的有機電致發光顯示器件可參照圖2驅動。圖2示出了該有機電致發光顯示器件的時序圖。

通過由第n條掃描線S(n)(n為自然數)提供的正選擇電壓VGH，開關TFT?N1導通，并且電容C由于數據線D提供的數據電壓Vdata而充電。因為驅動TF?TN2具有N型溝道，所以數據電壓Vdata為正。流過驅動TFT?N2的電流強度取決于存儲在電容C中的數據電壓Vdata以及驅動電壓VDD，并且該有機發光二極管OLED根據該電流強度而發光。

在兩個晶體管和一個電容的像素結構中，為了在施加了正數據電壓Vdata以后持續保持驅動TFT?N2為導通狀態，包括非晶硅(a-Si:H)的驅動TFT?N2接收存儲在電容C中的正電壓。這進一步增加驅動TFT?N2的惡化，并將改變驅動TFT?N2的閾值電壓。

圖3為表示由于薄膜晶體管的惡化而導致閾值電壓改變的曲線圖。圖3中，曲線A表示在該薄膜晶體管惡化之前該薄膜晶體管的電流-電壓特性。曲線B表示該薄膜晶體管持續施加有正電壓并惡化以后該薄膜晶體管的電流-電壓特性。曲線B的閾值電壓Vth2高于曲線A的閾值電壓Vth1。

惡化縮短了驅動TFT的壽命，并且降低有機發光二極管OLED的亮度。

發明內容

因此，本發明提出一種有機電致發光顯示器件及其驅動方法，其中該器件的薄膜晶體管可避免惡化并可顯示高質量圖像。

本發明的一個技術方案中，提供了一種有機電致發光顯示器件，包括：在顯示圖像的顯示區域中的多個像素，每個像素包括：有機發光二極管；第一晶體管，其通過第n個掃描信號(n為自然數)輸出數據電壓；第二晶體管，其通過所述數據電壓將電流提供給所述有機發光二極管；及存儲所述數據電壓的電容；以及第三晶體管，其通過第(n-1)個掃描信號將預充電壓提供給所述每個像素的第二晶體管和電容，其中所述預充電壓具有與所述數據電壓相反的極性，其中所述第三晶體管設置在不顯示圖像的非顯示區域。