[發(fā)明專利]非易失性存儲器件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610168026.2
• 申請日: 2006-12-15
• 公開（公告）號: CN101097965A
• 公開（公告）日: 2008-01-02
• 發(fā)明（設計）人: 崔殷碩
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/792
• 分類號: H01L29/792;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司
• 代理人: 楊生平;楊紅梅

1.一種非易失性存儲器件，包含：

柵極，其中分別在半導體襯底上方形成柵極絕緣層、電荷捕獲層、阻擋氧化物層和柵極電極，

其中所述電荷捕獲層被緩沖層物理分離。

2.權利要求1的非易失性存儲器件，其中所述電荷捕獲層是氮化硅層或金屬氧化物層。

3.權利要求1的非易失性存儲器件，其中所述緩沖層是介電層。

4.權利要求3的非易失性存儲器件，其中所述介電層是氧化硅層或氮化硅層。

5.權利要求1的非易失性存儲器件，其中所述緩沖層的寬度比柵極寬度小1/10。

6.權利要求1的非易失性存儲器件，其中所述緩沖層具有20-1000的厚度。

7.一種制造非易失性存儲器件的方法，包括以下步驟：

在半導體襯底上方分別沉積柵極絕緣層、緩沖層、阻擋氧化物層和柵極電極；

蝕刻柵極電極、阻擋氧化物層、緩沖層和柵極絕緣層以形成柵極；

執(zhí)行離子注入過程，從而在半導體襯底內形成源極和漏極區(qū)；

通過選擇性蝕刻緩沖層兩側來選擇性形成緩沖層凹陷圖案；和

在緩沖層凹陷圖案中形成電荷捕獲層。

8.權利要求7的方法，包括使用氧化硅層或氮化硅層來形成所述緩沖層。

9.權利要求7的方法，包括使所述緩沖層形成20-1000的厚度。

10.權利要求7的方法，包括使用高介電層形成阻擋氧化物層。

11.權利要求10的方法，其中所述高介電層選自Al₂O₃、HfO₂、Ta₂O₅、ZrO₂、La₂O₃、TiO₂和其組合。

12.權利要求7的方法，其中在選擇性蝕刻過程中，所述緩沖層兩側每一側的凹陷厚度是柵極寬度的1/20-1/2。

13.權利要求7的方法，包括使用過渡金屬氮化物或摻雜雜質的多晶硅來形成柵極電極。

14.權利要求13的方法，其中所述過渡金屬氮化物是TiN、TaN、TiCN、TaCN、TiSiN、TaSiN、WN或RuTiN。

15.權利要求7的方法，其中形成電荷捕獲層的步驟包括以下步驟：

在緩沖層的凹陷圖案、柵極和半導體襯底上沉積電荷捕獲材料；和蝕刻所述電荷捕獲材料，其中電荷捕獲材料僅保留在緩沖層的凹陷圖案上。

16.權利要求15的方法，包括在沉積電荷捕獲材料的步驟或形成電荷捕獲層的步驟之后，執(zhí)行離子注入過程。