[發明專利]具靜電防護效果的液晶面板及其制造方法無效
| 申請號: | 200610168022.4 | 申請日: | 2006-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN101201482A | 公開(公告)日: | 2008-06-18 |
| 發明(設計)人: | 張乃恒;陳志明;林林;賴志章;王文俊 | 申請(專利權)人: | 勝華科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/133 | 分類號: | G02F1/133;H05F3/02;H05K9/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人: | 逯長明 |
| 地址: | 臺灣省臺中縣潭子*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 防護 效果 液晶面板 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明是關于一種具靜電防護效果的液晶面板及其制造方法,尤指一種可消除因靜電干擾所造成畫面亂碼的技術。
背景技術
如圖5揭露一典型的液晶面板控制模塊,其包括有一液晶面板(70)、多個分設于液晶面板(70)周邊的掃瞄驅動IC(71)及數據驅動IC(72)、一與前述各掃瞄驅動IC(71)的頻率驅動器(73)、一與前述各數據驅動IC(72)連接的頻率控制器(74)、一提供液晶面板(70)中各像素一穩定參考電壓的VCOM放大器(75)、一與前述各數據驅動IC(72)連接的珈瑪產生器(76)、一背光驅動模塊(77)、一光傳感器(78)及一電源電路(79)等。
又靜電防護為液晶面板重要的技術主題之一,既有液晶面板賴以產生靜電防護的措施是如圖6所示,當面板上有靜電產生即透過晶體管T1、T2導到液晶面板的VCOM電極,由于VCOM電極是位于上玻璃基板上整面的透明金屬層,故具有防靜電效果。
然而前述方法并無法完全克服液晶面板因靜電打入所產生的各種問題,例如某些靜電干擾的狀況下,面板畫面將出現亂碼,此種狀況多半發生在靜電打在驅動IC的特定接腳上,例如驅動IC的重置(RESET)及寫入致能(WR)接腳,當靜電突波出現在該等接腳時,驅動IC無法正確判讀該等接腳的狀態,因而在畫面上出現亂碼,此種因素所造成的亂碼雖在重置后可以恢復正常,但畫面出現亂碼已對消費者造成困擾,且容易造成面板質量不良的負面觀感。
發明內容
由上述可知,既有液晶面板雖有靜電防護設計,但將靜電導引至VCOM的作法,無法解決面板畫面因靜電干擾而產生亂碼的問題,故有待進一步檢討,并謀求可行的因應方案。
因此,本發明主要目的在提供一種具靜電防護效果的液晶面板,其可有效解決因靜電突波干擾驅動IC特定接腳所造成的畫面亂碼問題。
為達成前述目的采取的主要技術手段是令前述液晶面板包括有兩相對基板,并于其中一基板上分別定義出:
多個的IC接腳焊墊,供貼合驅動IC,并與其電連接;
多個的軟板連接焊墊,用以連接軟板,并分別透過一接線與對應的IC接腳焊墊電連接;
至少一共地金屬層,該共地金屬層是非電接觸地重疊于前述接在線,并連接到接地端;
在前述狀況下,共地金屬層與各接線間分別構成一電容,且該電容連接到接地端,故形成一靜電排放路徑,當靜電突波打在接線時,隨即經由形成的等效電容排放到地,由于靜電突波不會進入驅動IC,故不致使畫面出現亂碼,從而有效解決液晶面板因靜電干擾出現亂碼的問題。
前述基板上的共地金屬層為多個,并分別非電接觸地重疊于基板上的掃描線、數據線,由此排放打在掃描線及/或數據在線的靜電突波。
前述共地金屬層是可由該基板上的第1圖案化金屬層、或由該基板上的第2圖案化金屬層所定義形成。
前述共地金屬層亦可由貼覆在基板表面的金屬薄膜所構成。
本發明次一目的在提供一種液晶面板的制造方法,包括下列步驟:
準備一基板;
在基板的一面上形成經圖案化的第一金屬層,而分別定義出薄膜晶體管的柵極、儲存電容的下電極、掃描線及多個的驅動IC連接接線等;
在第一金屬層上形成一第一絕緣層;
在第一絕緣層上連續沉積一非晶硅(a-Si)層與一N型摻雜非晶硅(N+a-Si)層,經圖案化構成一島狀半導體層;
在前述基板上形成一全面覆蓋的第二金屬層,經圖案化分別定義出薄膜晶體管的源極電極、漏極電極、儲存電容的上電極、數據線及至少一第一共地金屬層等;該第一共地金屬層是非電接觸地重疊于前述驅動IC連接接線;
對前述非晶硅(a-Si)層及N型摻雜非晶硅(N+a-Si)層進行蝕刻,以分別構成源/漏極摻雜區及主動區;
在前述第二金屬層上形成一保護層;
在前述保護層上形成一像素電極,并令像素電極透過預先形成于層間的開口與漏極電極電連接。
前述方法由第二金屬層定義至少一第一共地金屬層,并相對于驅動IC連接接線,又第一共地金屬層是連接至接地端,因而得在驅動IC的不特定接腳與接地端之間形成一靜電排放路徑,一旦接腳遭靜電突波侵襲,可迅速將靜電突波導至接地端。
本發明又一目的在提供一種液晶面板的制造方法,包括下列步驟:
準備一基板;
在基板的一面上形成經圖案化的第一金屬層,而分別定義出薄膜晶體管的柵極、儲存電容的下電極、掃描線及至少一第一共地金屬層等;
在第一金屬層上形成一第一絕緣層;
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