[發明專利]可去除累積在基底上的電荷的連續沉積多層膜的方法

無效

• 申請號: 200610166927.8
• 申請日: 2006-12-12
• 公開（公告）號: CN101202207A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 姜兆聲;林平偉;楊欽偉
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/31;C23C16/54
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種在含等離子體的化學氣相沉積機臺中連續沉積多層膜的方法，包括：

在該化學氣相沉積機臺中進行第一等離子體沉積工藝，以在基底上形成第一膜層；

進行第二等離子體沉積工藝，以在該第一膜層上形成第二膜層；以及

進行電荷去除步驟，包括：

通入鈍氣；以及

抽去該鈍氣。

2.如權利要求1所述的在含等離子體的化學氣相沉積機臺中連續沉積多層膜的方法，其中該鈍氣選自于惰性氣體、氫氣、氮氣、氧氣、二氧化碳、氨氣、一氧化二氮及其組合所組成的族群。

3.如權利要求1所述的在含等離子體的化學氣相沉積機臺中連續沉積多層膜的方法，其中該鈍氣的流量為10-1000sccm。

4.如權利要求1所述的在含等離子體的化學氣相沉積機臺中連續沉積多層膜的方法，還包括：

在通入該鈍氣之后，抽去該鈍氣之前，點燃等離子體；以及

關掉該等離子體。

5.如權利要求4所述的在含等離子體的化學氣相沉積機臺中連續沉積多層膜的方法，其中點燃該等離子體的功率為5-1000瓦特。

6.如權利要求5所述的在含等離子體的化學氣相沉積機臺中連續沉積多層膜的方法，其中點燃該等離子體的功率為10-200瓦特。

7.如權利要求4所述的在含等離子體的化學氣相沉積機臺中連續沉積多層膜的方法，其中點燃該等離子體的時間持續1-10秒。

8.如權利要求4所述的在含等離子體的化學氣相沉積機臺中連續沉積多層膜的方法，其中在通入該鈍氣之前，還包括抽去該化學氣相沉積機臺中的氣體。

9.如權利要求1所述的在含等離子體的化學氣相沉積機臺中連續沉積多層膜的方法，其中該電荷去除步驟是在形成該第一膜層與形成該第二膜層之間進行，及/或在形成該第二膜層之后進行。

10.如權利要求9所述的在含等離子體的化學氣相沉積機臺中連續沉積多層膜的方法，其中該第二膜層為該多層膜的最后一層膜。

11.如權利要求9所述的在含等離子體的化學氣相沉積機臺中連續沉積多層膜的方法，其中該第一膜層與該第二膜層其中之一為含氮膜層，該電荷去除步驟是在形成該含氮膜層之后進行。

12.如權利要求9所述的在含等離子體的化學氣相沉積機臺中連續沉積多層膜的方法，其中該第一膜層/該第二膜層包括氧化硅層/無機抗反射層、氮化硅層/無機抗反射層、阻障層/低介電常數材料層、氮化硅層/氧化硅內層介電層或氮氧化硅/氧化硅內層介電層。

13.如權利要求12所述的在含等離子體的化學氣相沉積機臺中連續沉積多層膜的方法，其中該阻障層的材質選自于氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅及其組合所組成的族群。

14.如權利要求9所述的在含等離子體的化學氣相沉積機臺中連續沉積多層膜的方法，還包括在形成該第二膜層之后，在該基底上形成第三膜層。

15.如權利要求14所述的在含等離子體的化學氣相沉積機臺中連續沉積多層膜的方法，還包括在形成該第三膜層之后，進行另一電荷去除步驟。

16.如權利要求14所述的在含等離子體的化學氣相沉積機臺中連續沉積多層膜的方法，其中該第一膜層/該第二膜層/該第三膜層包括氧化硅層/氮化硅層/氧化硅層。

17.一種在機臺中去除等離子體工藝后累積在基底上的電荷的方法，包括：

在該機臺中通入鈍氣；以及

抽去該鈍氣。

18.如權利要求17所述的在機臺中去除等離子體工藝后累積在基底上的電荷的方法，其中該鈍氣選自于惰性氣體、氫氣、氮氣、氧氣、二氧化碳、氨氣、一氧化二氮及其組合所組成的族群。

19.如權利要求17所述的在機臺中去除等離子體工藝后累積在基底上的電荷的方法，其中該鈍氣的流量為10-1000sccm。

20.如權利要求17所述的在機臺中去除等離子體工藝后累積在基底上的電荷的方法，還包括：

在通入該鈍氣之后，抽去該鈍氣之前，點燃等離子體；以及

關掉該等離子體。