[發明專利]相變存儲裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200610166764.3
• 申請日: 2006-12-14
• 公開（公告）號: CN101202326A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 陳維恕
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院;力晶半導體股份有限公司;南亞科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種相變存儲裝置，包括：

基板，其包括疊層結構，該疊層結構包括多個絕緣層和多個導電層，其中任兩層相鄰的該導電層被該多個絕緣層的其中之一隔開；

第一電極結構，形成于該疊層結構上，且該第一電極結構具有第一側壁和第二側壁；

多個加熱電極，設置于多個該導電層上，且鄰接于該第一電極結構的該第一側壁和該第二側壁；以及

一對相變材料間隙壁，設置于該第一電極結構的該第一側壁和該第二側壁上，且覆蓋于該多個加熱電極上。

2.如權利要求1所述的相變存儲裝置，其中該疊層結構的該絕緣層和該導電層以水平堆棧方式形成。

3.如權利要求2所述的相變存儲裝置，其中還包括：

第一溝槽，形成于該疊層結構中，且暴露出該疊層結構的該絕緣層和該導電層。

4.如權利要求3所述的相變存儲裝置，其中該第一溝槽具有第三側壁和第四側壁，該第三側壁與該基板的夾角θ₃大于15°且小于75°，該第四側壁與該基板的夾角θ₄大于15°且小于75°。

5.如權利要求4所述的相變存儲裝置，其中夾角θ₃等于夾角θ₄。

6.如權利要求4所述的相變存儲裝置，其中夾角θ₃不等于夾角θ₄。

7.如權利要求1所述的相變存儲裝置，其中該基板還包括第二溝槽，該疊層結構的該多個絕緣層和該多個導電層以垂直堆棧方式嵌入該第二溝槽中，且該疊層結構大體上與該基板共平面。

8.如權利要求7所述的相變存儲裝置，其中該第二溝槽具有第五側壁和第六側壁，該第五側壁與與該基板的夾角θ₅大于30°且小于90°，該第六側壁與該基板的夾角θ₆大于30°且小于90°。

9.如權利要求8所述的相變存儲裝置，其中θ₅等于θ₆。

10.如權利要求8所述的相變存儲裝置，其中θ₅不等于θ₆。

11.如權利要求1所述的相變存儲裝置，其中該導電層為p型摻雜多晶硅層。

12.如權利要求1所述的相變存儲裝置，其中該第一電極結構為復合層，其包括氧化硅層、多晶硅層及金屬硅化物層。

13.如權利要求12所述的相變存儲裝置，其中該金屬硅化物層包括金屬氮硅化物。

14.如權利要求12所述的相變存儲裝置，其中該多晶硅層為n型或p型摻雜多晶硅層。

15.如權利要求12所述的相變存儲裝置，其中該多晶硅層和該加熱電極被該氧化層隔開。

16.如權利要求1所述的相變存儲裝置，其中該加熱電極包含金屬硅化物、金屬氮硅化物或其組合。

17.如權利要求1所述的相變存儲裝置，其中還包括：

利用摻雜不純物方式形成的雙載子結，設置于該導電層中，且鄰接該導電層的表面和該第一電極結構的第二側壁。

18.一種相變存儲裝置的制造方法，包括下列步驟：

提供基板，其包括疊層結構，該疊層結構包括多個絕緣層和多個導電層，任兩層相鄰的該導電層被該多個絕緣層的其中之一隔開；

于該疊層結構上形成第一電極結構，且該第一電極結構具有第一側壁和第二側壁；

于該多個導電層上形成多個加熱電極，該多個加熱電極鄰接于該第一電極結構的該第一側壁和該第二側壁；

于該第一電極結構的該第一側壁和該第二側壁上形成一對相變材料間隙壁，且覆蓋于該多個加熱電極上。

19.如權利要求18所述的相變存儲裝置的制造方法，其中該疊層結構的該絕緣層和該導電層以水平堆棧方式形成。

20.如權利要求18所述的相變存儲裝置的制造方法，還包括：

于該疊層結構中形成第一溝槽，且暴露出該疊層結構的該絕緣層和該導電層。