[發(fā)明專利]設(shè)有光提取點(diǎn)狀物陣列的發(fā)光二極管及其制造過(guò)程無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200610165917.2 | 申請(qǐng)日： | 2006-12-11 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101097975A | 公開（公告）日： | 2008-01-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 綦振瀛;李家銘;張瑞正;陳宗良;陳世玲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 泰谷光電科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人： | 林錦輝 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 有光 提取 點(diǎn)狀物 陣列 發(fā)光二極管 及其 制造 過(guò)程 | ||
1、一種發(fā)光二極管，其包括：
多層結(jié)構(gòu)，其包括堆疊在襯底表面上的多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層，其中，所述多層結(jié)構(gòu)包括發(fā)光層；
多個(gè)電極，其用于提供流經(jīng)所述多層結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電流；以及
光學(xué)層，其被整合至所述多層結(jié)構(gòu)，其中，所述光學(xué)層形成以陣列排列的基本上等距離的多個(gè)光提取點(diǎn)狀物。
2、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述多個(gè)光提取點(diǎn)狀物具有小于約800的厚度。
3、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述光學(xué)層由包括SiOx、SixNy、SiC、SiOxNy、ZnSe、TiO2或Ta2O5等材料所組成的化合物，其中x與y為化學(xué)元素比率。
4、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，在所述多層結(jié)構(gòu)的兩個(gè)材料層之間的界面配置有所述光提取點(diǎn)狀物的陣列。
5、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述光提取點(diǎn)狀物的陣列包括以并置的六邊形圖案分布所述光提取點(diǎn)狀物。
6、如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，其中，所述多個(gè)光提取點(diǎn)狀物設(shè)置于每一個(gè)六邊形圖案的角落與中間。
7、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述光提取節(jié)點(diǎn)具有六邊形的形狀。
8、如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中，所述發(fā)光二極管的光強(qiáng)度大于約150mcd。
9、一種形成發(fā)光二極管的制造過(guò)程，其包括：
形成包括至少一個(gè)發(fā)光層的多層結(jié)構(gòu)；
形成用以提供流經(jīng)所述多層結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電流的電極；以及
形成整合至所述多層結(jié)構(gòu)的光學(xué)層，其中所述光學(xué)層包括以陣列排列的基本上等距離的多個(gè)光提取點(diǎn)狀物。
10、如權(quán)利要求9所述的制造過(guò)程，其中，所述多個(gè)光提取點(diǎn)狀物具有小于約800的厚度。
11、如權(quán)利要求9所述的制造過(guò)程，其中，在形成整合至所述多層結(jié)構(gòu)的光學(xué)層的步驟中，包括在多層結(jié)構(gòu)中的兩層之間的界面形成所述光學(xué)層。
12、如權(quán)利要求11所述的制造過(guò)程，其中，形成整合至所述多層結(jié)構(gòu)的光學(xué)層的步驟包括：
在襯底的表面上形成光學(xué)層；
圖案化所述光學(xué)層，以形成基本上等距離的光提取點(diǎn)狀物的陣列；以及
在所述光學(xué)層上堆疊包括所述發(fā)光層的多層材料層。
13、如權(quán)利要求12所述的制造過(guò)程，其中，在所述光學(xué)層上堆疊包括所述發(fā)光層的多層材料層的步驟中，包括：
形成覆蓋所述光學(xué)層的緩沖層；以及
在所述緩沖層上形成多個(gè)氮化物半導(dǎo)體層。
14、如權(quán)利要求12所述的制造過(guò)程，其中，圖案化所述光學(xué)層以形成基本上等距離的光提取點(diǎn)狀物的陣列的步驟中，包括執(zhí)行光刻過(guò)程以形成光阻圖案，再經(jīng)由所述光阻圖案進(jìn)行蝕刻。
15、如權(quán)利要求9所述的制造過(guò)程，其中，所述光學(xué)層組成包括SiOx、SixNy、SiC、SiOxNy、ZnSe、TiO2或Ta2O5等材料組成，其中x與y為化學(xué)元素比率。
16、如權(quán)利要求9所述的制造過(guò)程，其中，所述光提取點(diǎn)狀物的陣列包括以并置的六邊形圖案分布所述光提取點(diǎn)狀物。
17、如權(quán)利要求16所述的制造過(guò)程，其中，所述多個(gè)光提取點(diǎn)狀物設(shè)置在每一個(gè)六邊形圖案的角落與中間。
18、如權(quán)利要求9所述的制造過(guò)程，其中，至少一個(gè)光提取點(diǎn)狀物具有六邊形的形狀。
19、如權(quán)利要求9所述的制造過(guò)程，其中，所述發(fā)光二極管的光強(qiáng)度大于約150mcd。
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