[發(fā)明專利]清洗硅片刻蝕腔室的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610165562.7 | 申請日： | 2006-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN101204705A | 公開（公告）日： | 2008-06-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | 付春江 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號： | B08B7/00 | 分類號： | B08B7/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京凱特來知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 趙鎮(zhèn)勇;郭宗勝 |
| 地址： | 100016北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 清洗 硅片 刻蝕 方法 | ||
1.一種清洗硅片刻蝕腔室的方法，其特征在于，包括步驟：
A、向刻蝕腔室中通入含氟氣體和氧氣，對刻蝕腔室進行清洗工藝；
B、向刻蝕腔室中通入氯氣和氧氣，對刻蝕腔室進行清洗工藝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗硅片刻蝕腔室的方法，其特征在于，所述的步驟A中，向刻蝕腔室中通入含氟氣體和氧氣時，含氟氣體的流量為1～500sccm，氧氣的流量為1～500sccm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗硅片刻蝕腔室的方法，其特征在于，所述的步驟A中，含氟氣體與氧氣之間的體積比例為0.01～99.9。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的清洗硅片刻蝕腔室的方法，其特征在于，所述的步驟A中的含氟氣體包括SF6和/或NF3。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗硅片刻蝕腔室的方法，其特征在于，所述的步驟B中，向刻蝕腔室中通入氯氣和氧氣時，氯氣的流量為1～500sccm，氧氣的流量為1～500sccm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗硅片刻蝕腔室的方法，其特征在于，所述的步驟B中，氯氣與氧氣之間的體積比例為0.01～99.9。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗硅片刻蝕腔室的方法，其特征在于，所述的清洗工藝中，刻蝕腔室內(nèi)氣體的壓力5～100mT。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司，未經(jīng)北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200610165562.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：平板顯示裝置
- 下一篇：一種干壓成型的燒結(jié)永磁鐵氧體的制造方法
