[發(fā)明專利]腔室上蓋及包含該上蓋的反應腔室有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200610165461.X | 申請日： | 2006-12-20 |
| 公開（公告）號： | CN101207034A | 公開（公告）日： | 2008-06-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張風港 | 申請（專利權）人： | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065;H01L21/00;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京凱特來知識產權代理有限公司 | 代理人： | 鄭立明;郭宗勝 |
| 地址： | 100016北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 腔室上蓋 包含 反應 | ||
1.一種腔室上蓋，它的上部設有進氣口，其特征在于，它的下部設有多個氣孔，所述進氣口與多個氣孔相通，使腔室上蓋的上方空間與下方空間相通。
2.根據權利要求1所述的腔室上蓋，其特征在于，所述的腔室上蓋的內部設有空腔，所述進氣口通過空腔與多個氣孔相通。
3.根據權利要求1或2所述的腔室上蓋，其特征在于，所述的氣孔分布在進氣口縱向軸線的周圍。
4.根據權利要求3所述的腔室上蓋，其特征在于，所述的進氣口縱向軸線一側的氣孔分布密度小于進氣口縱向軸線另一側的氣孔分布密度；和/或
所述的進氣口縱向軸線一側的氣孔的直徑小于進氣口縱向軸線另一側的氣孔的直徑。
5.根據權利要求3所述的腔室上蓋，其特征在于，靠近進氣口縱向軸線處的氣孔分布密度小于遠離進氣口縱向軸線處的氣孔分布密度；和/或
靠近進氣口縱向軸線處的氣孔的直徑小于遠離進氣口縱向軸線處的氣孔的直徑。
6.根據權利要求3所述的腔室上蓋，其特征在于，所述的氣孔與進氣口的縱向軸線平行布置。
7.根據權利要求3所述的腔室上蓋，其特征在于，所述的氣孔與進氣口的縱向軸線呈1～89°的夾角。
8.根據權利要求7所述的腔室上蓋，其特征在于，所述夾角的大小按照氣孔距進氣口縱向軸線的距離，由近而遠逐漸加大。
9.一種反應腔室，其特征在于，反應腔室的上口設有上述的腔室上蓋，并可通過腔室上蓋上的進氣口及氣孔向反應腔室注入工藝氣體。
10.根據權利要求9所述的反應腔室，其特征在于，所述反應腔室開有出氣口，所述出氣口開在進氣口縱向軸線氣孔分布密度和/或氣孔直徑較大的一側。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
