[發明專利]反應腔室內襯及包含該內襯的反應腔室有效
| 申請號： | 200610164984.2 | 申請日： | 2006-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN101202206A | 公開（公告）日： | 2008-06-18 |
| 發明（設計）人： | 楊盟 | 申請（專利權）人： | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/205;H01L21/67;C23C16/00;C23F4/00;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京凱特來知識產權代理有限公司 | 代理人： | 趙鎮勇;郭宗勝 |
| 地址： | 100016北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 反應 內襯 包含 | ||
1.一種反應腔室內襯，包括側面內襯、底面內襯，其特征在于，所述的側面內襯分兩層，分別為里層內襯和外層內襯，
所述里層內襯和外層內襯的上緣相互連接；下緣分別與底面內襯連接，里層內襯與外層內襯之間形成封閉空間；
所述里層內襯開有多個氣孔；
所述外層內襯開有內襯進氣開口和內襯排氣開口。
2.根據權利要求1所述的反應腔室內襯，其特征在于，所述的里層內襯上的多個氣孔為不均勻分布，
靠近外層內襯上內襯進氣開口和內襯排氣開口位置處的氣孔分布密度較小；
遠離外層內襯上內襯進氣開口和內襯排氣開口位置處的氣孔分布密度較大。
3.根據權利要求1所述的反應腔室內襯，其特征在于，所述的里層內襯上的多個氣孔的直徑不同，
靠近外層內襯上內襯進氣開口和內襯排氣開口位置處的氣孔直徑較小；
遠離外層內襯上內襯進氣開口和內襯排氣開口位置處的氣孔直徑較大。
4.根據權利要求1、2或3所述的反應腔室內襯，其特征在于，所述的多個氣孔相互平行。
5.根據權利要求1、2或3所述的反應腔室內襯，其特征在于，所述的氣孔的兩端分別設有倒角。
6.一種反應腔室，包括側壁和底壁，反應腔室的側壁上設有進氣口、排氣口，其特征在于，所述反應腔室內設有上述反應腔室內襯，
所述進氣口與內襯進氣開口相對應；
所述排氣口與內襯排氣開口相對應。
7.根據權利要求6所述的反應腔室，其特征在于，所述的反應腔室內設有靜電卡盤，所述的靜電卡盤的上表面可設置晶片，所述靜電卡盤的上表面高于底面內襯的上表面。
8.根據權利要求6所述的反應腔室，其特征在于，所述的反應腔室內設有靜電卡盤，所述的靜電卡盤的上表面可設置晶片，所述靜電卡盤的上表面與底面內襯的上表面平齊。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
