[發明專利]反應腔室清洗的方法

有效

• 申請號: 200610164902.4
• 申請日: 2006-12-07
• 公開（公告）號: CN101195117A
• 公開（公告）日: 2008-06-11
• 發明（設計）人: 榮延棟
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: B08B7/00
• 分類號: B08B7/00;H01L21/00
• 代理公司: 北京凱特來知識產權代理有限公司
• 代理人: 趙鎮勇;郭宗勝

1.一種反應腔室清洗的方法，用于清洗反應腔室內的副產物，其特征在于，包括步驟：

A、向反應腔室中通入工藝氣體，通過射頻源將工藝氣體電離成等離子體，等離子體與所述副產物反應，生成揮發性物質；

B、向反應腔室中通入工藝氣體，將所述揮發性物質帶出反應腔室。

2.根據權利要求1所述的反應腔室清洗的方法，其特征在于，所述步驟A中所用的工藝氣體包括氣體SF6和/或O2；所述射頻源的功率為50～800W。

3.根據權利要求2所述的反應腔室清洗的方法，其特征在于，所述步驟A包括步驟：

A1、向反應腔室中通入氣體SF6和/或O2，并將所述射頻源的功率設定為50～400W，保持設定的時間；

A2、將射頻源的功率設定為400～800W，保持至反應結束。

4.根據權利要求3所述的反應腔室清洗的方法，其特征在于，所述步驟A1中，

所述氣體SF6的流量為80～120sccm；

所述氣體O2的流量為10～30sccm；

所述工藝氣體的壓力為5～15mT；

設定的時間為2～4s。

5.根據權利要求3所述的反應腔室清洗的方法，其特征在于，所述步驟A2中，

所述氣體SF6的流量為80～120sccm；

所述氣體O2的流量為10～30sccm；

所述工藝氣體的壓力為5～15mT；

反應時間為8～12s。

6.根據權利要求4或5所述的反應腔室清洗的方法，其特征在于，

所述氣體SF6的流量為100sccm；

所述氣體O2的流量為20sccm；

所述工藝氣體的壓力為10mT；

所述步驟A1中，設定的時間為3s；

所述步驟A2中，設定的時間為10s。

7.根據權利要求2、3、4或5所述的反應腔室清洗的方法，其特征在于，

所述的等離子體包括F^-和O^2-；

所述的副產物包括含Si和/或含C的顆粒和/或聚合物；

所述的揮發性物質包括SiF4和/或CO2和/或CO。

8.根據權利要求1所述的反應腔室清洗的方法，其特征在于，所述步驟B中所用的工藝氣體包括He氣和/或N2氣。

9.根據權利要求8所述的反應腔室清洗的方法，其特征在于，所述的He氣和/或N2氣的總流量為100～200sccm。

10.根據權利要求1所述的反應腔室清洗的方法，其特征在于，所述的反應腔室連接有擺閥；

所述步驟B中，擺閥采用位置模式控制，且擺閥開到最大，工藝氣體通過擺閥將所述揮發性物質帶出反應腔室。