[發(fā)明專利]硅片刻蝕的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200610164844.5
• 申請日: 2006-12-06
• 公開（公告）號: CN101197269A
• 公開（公告）日: 2008-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 榮延棟
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/3065
• 代理公司: 北京凱特來知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 趙鎮(zhèn)勇

1.一種硅片刻蝕的方法，包括硅片刻蝕步，其特征在于，所述硅片刻蝕步之后還包括除去顆粒步，所述顆粒為硅片刻蝕過程產(chǎn)生的副產(chǎn)物，吸附在刻蝕腔室的內(nèi)壁或硅片表面上，所述除去顆粒步包括步驟：

A、向刻蝕腔室中通入工藝氣體，通過射頻源將工藝氣體電離成等離子體，等離子體轟擊所述顆粒，使其脫離刻蝕腔室內(nèi)壁或硅片表面；

B、向刻蝕腔室中通入工藝氣體，將脫離刻蝕腔室內(nèi)壁或硅片表面的顆粒帶走。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片刻蝕的方法，其特征在于，所述步驟A中所用的工藝氣體包括He氣和/或Ar氣。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片刻蝕的方法，其特征在于，所述射頻源的功率為50～800W，所述的等離子體包括He⁺和/或Ar⁺及電子。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的硅片刻蝕的方法，其特征在于，

所述工藝氣體的總流量為10～100sccm；

所述工藝氣體的壓力為5～12mT；

反應(yīng)時間為2～30s。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片刻蝕的方法，其特征在于，所述步驟B中所用的工藝氣體包括He氣和/或Ar氣，還包括N₂氣。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅片刻蝕的方法，其特征在于，

所述工藝氣體中，He氣和/或Ar氣的總流量為10～300sccm，N₂氣的流量為5～300sccm；

所述工藝氣體的壓力為0～5mT；

供氣時間為5～30s。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片刻蝕的方法，其特征在于，所述顆粒包括以下至少一種物質(zhì)：

SiBr³⁺的聚合物、SiBr₂²⁺的聚合物、SiBr³⁺的聚合物、光阻的聚合物。