[發(fā)明專利]用于閾值壓控相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的編程方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200610164044.3 | 申請(qǐng)日： | 2006-12-06 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN101022120A | 公開(kāi)（公告）日： | 2007-08-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐東碩;李殷洪;盧振瑞 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/24 | 分類號(hào)： | H01L27/24;H01L45/00;H01L21/82;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人： | 邵亞麗;李曉舒 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 閾值 相變 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 編程 方法 | ||
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
- 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及操作方法
- 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器初始化設(shè)定方法
- 存儲(chǔ)裝置管理裝置及用于管理存儲(chǔ)裝置的方法
- 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的合并內(nèi)建自我測(cè)試方法
- 計(jì)算裝置以及計(jì)算裝置的操作方法
- 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的測(cè)試方法、測(cè)試焊盤(pán)的設(shè)計(jì)方法、存儲(chǔ)器晶圓
- 用于存取動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的計(jì)算系統(tǒng)以及相關(guān)存取方法
- 電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元
- 包括磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的半導(dǎo)體裝置
- 利用支撐條的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器單元陣列及其制作方法
