[發明專利]混合層三維存儲器

無效

• 申請號: 200610162698.2
• 申請日: 2006-12-01
• 公開（公告）號: CN101192611A
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發明（設計）人: 張國飆
• 申請（專利權）人: 張國飆
• 主分類號: H01L27/10
• 分類號: H01L27/10;H01L27/115;H01L23/522
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種混和層三維存儲器(0)，其特征在于含有：

一含有晶體管的襯底；

一位于該襯底上方的第一存儲層(ML?100)；

一位于第一存儲層上方的第二存儲層(ML?200)，該第二存儲層和該第一存儲層共享至少一地址選擇線(30a)；

一與該第一或第二存儲層相鄰的第三存儲層(ML?300)，該第三存儲層與該第一和第二存儲層不共享任何地址選擇線。

2.一種混和層三維存儲器(0)，其特征在于含有：

一含有晶體管的襯底；

一位于該襯底上方的第一存儲層(ML?100)；

一位于第一存儲層上方的第二存儲層(ML?200)，該第二存儲層和該第一存儲層共享至少一地址選擇線(30a)；

一位于該第二存儲層上方的第三存儲層(ML?300)，該第三存儲層與該第二存儲層之間具有一層間介質(27)。

3.一種混和層三維存儲器(0)，其特征在于含有：

一含有晶體管的襯底；

一位于該襯底上方的第一存儲層(ML?200)；

一位于第一存儲層上方的第二存儲層(ML?300)，該第二存儲層和該第一存儲層之間具有一層間介質(27)；

一位于該第二存儲層上方的第三存儲層(ML?400)，該第三存儲層與該第二存儲層共享至少一地址選擇線(30a’)。

4.根據權利要求1-3所述的混和層三維存儲器，其特征還在于：所述三維存儲器存儲層的數目大于等于4。

5.根據權利要求1-3所述的混和層三維存儲器，其特征還在于：所述三維存儲器為三維掩膜編程存儲器。

6.根據權利要求1-3所述的混和層三維存儲器，其特征還在于：所述三維存儲器為三維電編程存儲器。

7.根據權利要求1-3所述的混和層三維存儲器，其特征還在于：所述三維存儲器含有有源元件。

8.根據權利要求7所述的混和層三維存儲器，其特征還在于：所述有源元件為晶體管。

9.根據權利要求1-3所述的混和層三維存儲器，其特征還在于：所述三維存儲器含有無源元件。

10.根據權利要求9所述的混和層三維存儲器，其特征還在于：所述無源元件為二極管。